2000年〜2006年 †

  1. 吉本昌広，西垣宏，播磨弘，一色俊之，Kitaek Kang，Woo Sik Yoo：「急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価」，電子情報通信学会　SDM研究会，京都市，2006年12月
  2. 青木正彦，宮崎恵，木下博之，西口太郎，吉本昌広：「バルクSiC単結晶のTEMによる観察」，第67回応用物理学会学術講演会，草津市，2006年8月
  3. 田口貢士，山下雅充，山崎光生，岩出卓，吉本昌広：「ヘキサメチルジシラザンを原料とした有機デバイス用封止膜」，第67回応用物理学会学術講演会，草津市，2006年8月
  4. 風間裕，田中良宜，吉本昌広，W. Huang，G. Feng，山下兼一，近藤康洋，辻伸二，尾江邦重：「GaNAsBi?/GaAs DH構造ダイオード発光及び吸収端波長の低温度依存性」，第67回応用物理学会学術講演会，草津市，2006年8月
  5. 佐々木隆，西部慎太郎，一色俊之，吉本昌広，播磨弘，木曽田賢治，深田卓史，Woo Sik Yoo：「熱処理条件によるNiシリサイド形成に関するラマン散乱観察」，第67回応用物理学会学術講演会，草津市，2006年8月
  6. M.Yoshimoto，W.Huang，G.Feng，Y.Tanaka，K.Oe：「Molecular beam epitaxy of GaNAsBi? layer for temperature-insensitive wavelength emission」，第25回電子材料シンポジウム，伊豆の国市，2006年7月
  7. 村田諭是，中村佳博，前田智彦，柴田陽子，生田美奈，杉浦正明，新田州吾，岩谷素顕，上山智，天野浩，赤崎勇，吉本昌広，木下博之，古庄智明：「窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおけるDAP発光特性の不純物濃度依存性」，第53回応用物理学関係連合講演会，東京，2006年3月
  8. 柴田陽子，中村佳博，前田智彦，村田諭是，生田美奈，杉浦正明，新田州吾，岩谷素顕，上山智，天野浩，赤崎勇，吉本昌広，木下博之，古庄智明：「窒素およびホウ素をドープした6H-SiCにおける光学特性の熱処理効果」，第53回応用物理学関係連合講演会，東京，2006年3月
  9. 吉本昌広，播磨弘，一色俊之，佐々木隆，西部慎太郎，木曽田賢治，Woo Sik Yoo，深田卓史：「Niシリサイド低温形成過程のラマン散乱観察」，第53回応用物理学関係連合講演会，東京，2006年3月
  10. 村田諭是，中村佳博，前田智彦，柴田陽子，生田美奈，杉浦正明，新田州吾，岩谷素顕，上山智，天野浩，赤崎勇，吉本昌広，木下博之，古庄智明：「窒素およびホウ素をドープした6H-SiC蛍光層の光学特性」，第53回応用物理学関係連合講演会，東京，2006年3月
  11. 馮淦，尾江邦重，吉本昌広：「InGaAsおよびInGaAsBiのMBE成長におけるビスマスの振舞い」，第53回応用物理学関係連合講演会，東京，2006年3月
  12. 山下兼一，吉本昌広，尾江邦重：「GaAsBi混晶の屈折率スペクトル温度依存性」，第66回応用物理学会学術講演会，徳島，2005年9月
  13. 馮 淦，吉本昌広，尾江邦重，茶谷原昭，堀野裕治：「４元混晶InGaAsBiのMBE成長」，第66回応用物理学会学術講演会，徳島，2005年9月
  14. M. Yoshimoto，W. Huang，G. Feng，K. Oe：「New semiconductor alloy GaNAsBi? with temperature-insensitive bandgap」，第24回電子材料シンポジウム，松山市，2005年7月
  15. 吉本昌広，西垣宏，播磨弘，Kang Kitaek，Yoo Woo Sik：「極浅ボロン注入層のフラッシュアニール再結晶化の紫外ラマン分光による解析」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  16. 馮淦，吉本昌広，黄偉，尾江邦重：「GaNyAs1-x-yBixにおけるホトルミネセンス発光波長とBiおよびN組成の関係」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  17. 竹原優志，黄偉，吉本昌広，更家淳司，尾江邦重：「MBE成長したGaAsBi混晶の格子歪」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  18. 馮淦，黄偉，行本聡，吉本昌広：「Mn添加InNのMBE成長」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  19. 福島正宏，吉本昌広，黄偉，尾江邦重：「低温MBE成長GaNXAs1-X混晶薄膜のランプアニール効果」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  20. 前田智彦，土屋陽祐，中村佳博，河合洋二郎，岩谷素顕，上山智，天野浩，赤崎勇，吉本昌広，木下博之，古庄智明，塩見弘：「近接昇華法によるSiC高速エピ成長」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  21. 河合洋次郎，中村佳博，前田智彦，岩谷素顕，上山智，天野浩，赤崎勇，吉本昌広，古庄智明，木下博之，塩見弘：「近接昇華法による2°off基板上SiCエピ膜表面モフォロジーの改善」，第52回応用物理学関係連合講演会，さいたま市，2005年3月
  22. 鷹羽一輝，大淵博宣，竹田美和，S.A.B.Mohamed，田淵雅夫，吉本昌広：「InNバンドギャップ変化とIn原子周辺局所構造の関係の蛍光EXAFS法による評価」，第65回応用物理学会学術講演会，仙台市，2004年9月
  23. 黄偉，吉本昌広，竹原優志，更家淳司，尾江邦重：「GaAsに格子整合したGaNyAs1-x-yBxのMBE成長」，第65回応用物理学会学術講演会，仙台市，2004年9月
  24. M. Yoshimoto，W. Huang，Y. Takehara，J. Saraie，K. Oe：「Molecular beam epitaxy of quaternary semiconductore alloy GaNAsBi?」，第23回電子材料シンポジウム，伊豆の国市，2004年7月
  25. T. Yamao，K. Taguchi，M. Yoshimoto，S. Fujita：「Potential of SiNx? films fabricated by radical-beam deposition technique for passivation of organic devices」，第23回電子材料シンポジウム，伊豆の国市，2004年7月
  26. 田口貢士，吉本昌広，更家淳司，山雄健史，藤田静雄：「有機原料を用いた低炭素濃度シリコン窒化膜の低損傷低温堆積」，日本真空協会 関西支部 第１回研究会，京都市，2004年5月
  27. 山雄健史，吉本昌広，藤田静雄，田口貢士：「ラジカルビーム堆積法による低炭素濃度SiNx?膜の有機デバイスの封止膜への応用」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京，2004年3月
  28. 尾江邦重，吉本昌広：「GaAsBi混晶の低温MOVPE,MBE成長」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京，2004年3月
  29. 田口貢士，吉本昌広，更家淳司：「有機原料を用いたラジカルビーム堆積法におけるSiNx?膜の低酸素化の機構」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京，2004年3月
  30. 吉本昌広，W. Huang，竹原優志，更家淳司，尾江邦重，茶谷原昭義，堀野裕治：「4元混晶半導体GaNAsBi?のMBE成長」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京，2004年3月
  31. 竹原優志，吉本昌広，尾江邦重，更家淳司：「MBE法を用いたGaNAs成長の低温化 II」，第51回応用物理学関係連合講演会，東京，2004年3月
  32. 中田俊武，堀野裕治，中嶋堅志郎，吉本昌広，西野茂弘：「SiCウエハの不純物分析」，応用物理学会　SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第12回講演会，奈良市，2003年11月
  33. 田口貢士，吉本昌広，更家淳司：「有機原料を用いた低炭素濃度窒化シリコン膜の堆積と特性」，第14回日本材料学会半導体エレクトロニクス部門研究会，京都市，2003年10月
  34. 竹原優志，吉本昌広，更家淳司，尾江邦重：「MBE法を用いたGaNAs成長の低温化」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡市，2003年8月
  35. 吉本昌広，山下兼一，村田聡司，竹原優志，更家淳司，尾江邦重：「MBE成長GaAs1-xBix 混晶薄膜のランプアニール効果」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡市，2003年8月
  36. 栗本英治，山口智弘，播磨弘，吉本昌広，名西やすし：「分光学的手法によるInN結晶中の欠陥研究」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡市，2003年8月
  37. 田口貢士，行本聡，棚田祐介，吉本昌広，更家淳司：「有機液体を原料とした低炭素濃度SiNx?膜の電気的特性」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡市，2003年8月
  38. 黄偉，田口貢士，吉本昌広，更家淳司：「Effetct of annealing with capped SiNx? on the elctric properties of InN grown by MBE」，第64回応用物理学会学術講演会，福岡市，2003年8月
  39. K. Taguchi，S. Yukumoto，A. Chayahara，Y. Horino，M. Yoshimoto，J. Saraie：「Reduction of carbon impurity in SiNx? films deposited from organic source by use of radical beam deposition technique」，第22回電子材料シンポジウム，守山市，2003年7月
  40. M. Yoshimoto，S. Murata，J. Saraie，K. Oe，A. Chayahara：「Growth of metastable GaAsBi alloy by molecular beam epitaxy」，第22回電子材料シンポジウム，守山市，2003年7月
  41. M. Yoshimoto，Y. Yamamoto，W. Huang，H. Harima，J. Saraie：「Wide bandgap of polycrystalline InN caused by a few percent incorporation of oxygen」，第22回電子材料シンポジウム，守山市，2003年7月
  42. 山本孔明，茶谷原昭義，更家淳司，吉本昌広：「RF-MBE法成長多結晶InNの禁制帯幅-In供給量依存性-」，第50回応用物理学関係連合講演会，横浜市，2003年3月
  43. 田口貢士，吉本昌広，茶谷原昭義，堀野裕治，更家淳司：「有機液体原料を用いてラジカルビーム堆積法により形成した低炭素濃度SiN膜の構造」，第50回応用物理学関係連合講演会，横浜市，2003年3月
  44. 村田聡司，茶谷原昭義，吉本昌広，尾江邦重：「MBE法によるGaAs基板上GaAsBi混晶成長」，第50回応用物理学関係連合講演会，横浜市，2003年3月
  45. 田口貢士，吉本昌広，更家淳司：「有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度シリコン窒化膜の堆積」，電子情報通信学会　シリコン材料・デバイス研究会　12月度研究会，京都市，2002年12月
  46. 田口貢士，吉本昌広，更家淳司：「有機液体原料を用いたリモートプラズマCVD法による低炭素濃度SiN膜の堆積」，第63回応用物理学会学術講演会，新潟市，2002年9月
  47. 山本孔明，吉本昌広，更家淳司：「MBE成長InN/Siヘテロ接合の電気的特性」，第63回応用物理学会学術講演会，新潟市，2002年9月
  48. M. Yoshimoto，Y.Yamamoto，J. Saraie：「Fabrication and characterization of InN/Si heterojunctions」，第21回電子材料シンポジウム，伊豆の国市，2002年7月
  49. 山下孝，吉本昌広，更家淳司：「RF-MBE法による6H-SiC上AlN成長とラマン分光法による評価」，第49回応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2002年3月
  50. 田口貢士，棚田裕介，吉本昌広，更家淳司：「プラズマ励起窒素によるシリコン窒化のSi基板抵抗率依存性」，第49回応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2002年3月
  51. 山下孝，吉本昌広，更家淳司：「MBE法による6H-SiC上AlN成長と評価−膜厚依存性」，応用物理学会SiCおよび関連ワイドギャップ半導体研究会第10回講演会，京都市，2001年12月
  52. 吉本昌広：「サブミクロン解像度極低温顕微ホトルミネセンス装置の開発とワイドギャップ半導体の欠陥検出への応用」，日本材料学会　半導体エレクトロニクス部門研究会，京都市，2000年12月
  53. 山下孝，鈴木幸司，中野隆生，吉本昌広，更家淳司：「RF-MBE法によるInN/Siヘテロ接合の作製とバンドオフセットの測定」，電子情報通信学会　電子デバイス研究会10月度研究会，京都市，2000年10月
  54. 吉本昌広，更家淳司，中村修二：「ELOG成長GaNのサブミクロン分解能顕微ホトルミネセンス像」，第61回応用物理学会学術講演会，札幌市，2000年9月
  55. 竹原優志，山本亮一，吉本昌広，更家淳司：「プラズマ励起窒素によるシリコン窒化過程における窒素の拡散定数」，第61回応用物理学会学術講演会，札幌市，2000年9月
  56. 山下孝，鈴木幸司，中野隆生，吉本昌広，更家淳司：「MBE成長InN/Siヘテロ接合のXPS法によるバンドオフセットの測定」，第61回応用物理学会学術講演会，札幌市，2000年9月
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Last-modified: 2018-05-30 (水) 16:05:30 (2164d)