研究内容

当研究室では、次世代半導体デバイスの開発から新規メモリ技術、さらには新材料の探索まで、幅広い研究テーマに取り組んでいます。材料物性から回路素子としての機能まで、半導体技術を総合的に研究しています。

次々世代パワー半導体

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次々世代パワー半導体として注目されている酸化ガリウム（Ga₂O₃）やルチルGeO₂等のデバイス応用に向けた研究を進めています。Ga₂O₃は5つの結晶多形が存在しますが、当研究室のみすべての結晶多形を形成することが可能です。

これらの新材料は従来のシリコンやSiCを大きく上回る性能を秘めており、電力変換効率の飛躍的向上が期待されています。単結晶成長から薄膜形成、デバイス作製まで一貫した研究開発を行っています。

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コロラド大学コロラドスプリングス校のProf. Carlos Araujoが発明した新規のメモリです。電子相関型のメモリで、原理的に低消費、高速動作、高耐久性を有するとされています。Prof. Carlos Araujoと共同研究を通じて、CeRAMの研究と実用化を目指しています。

Correlated Electron Random Access Memory（CeRAM）は、従来のメモリ技術とは全く異なる動作原理に基づいており、次世代コンピュータシステムの基盤技術として期待されています。

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酸化物材料を中心に新材料の探索を行っています。理論計算と実験を組み合わせたアプローチにより、従来にない特性を持つ材料の発見を目指しています。

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最先端の研究を支える充実した設備環境を整備しています。薄膜成長装置から各種評価装置まで、研究に必要な機器を完備しています。

エピタキシャル成長のためのミストCVD装置を複数台保有しています。

蒸着装置・スパッタリング等を用いた薄膜作製技術を確立しています。

X線回折、電気特性評価、光学特性評価など総合的な材料評価が可能です。

クリーンルーム環境でのデバイス作製・加工技術を完備しています。