研究成果

2026年

1. M. Azuma, M. Ikeda, T. Miyamoto and H. Nishinaka, “Temperature dependence of nonpolar switching characteristics of carbon-doped HfOx thin films fabricated using mist CVD for correlated electron random access memory” Jpn. J. Appl. Phys., (accepted).
2. C. Fernández-Saiz, K. Shimazoe, C. Martínez-Tomás, S. Agouram, I. Seike, T. Kano, V. Muñoz-Sanjose, H. Nishinaka, “Bismuth-assisted stabilization of rutile GeO2 thin films grown by Mist-CVD” Appl. Surf. Sci., 727 (2026) 165893.

2025年

1. K. Shimazoe, M. Kato, and H. Nishinaka, “Rutile-Structured GeO2 Thin Films Grown on Various Planes of α-Al2O3 Substrates with Graded GexSn1–xO2 Buffer Layers” ACS Appl. Electron. Mater., 8 (2026) 249-255.
2. 川邊 史, Theodore Wydeven, 西中 浩之、「プラズマCVD法により成膜したSiCN薄膜の特性：RF出力の影響」材料 74巻11号 (2025)　669-673.
3. E. Kluth, T. Ogawa, H. Nishinaka, R. Goldhahn, and M. Feneberg, “Absorption anisotropy of orthorhombic single-domain κ-Ga2O3 from infrared to ultraviolet: Phonons and bandgaps(Editor's Pick)” Appl. Phys. Lett., 127 (2025) 172106.
4. Y. Seki, A. Okada, Y. Kajita, G. Yasui, H. Nishinaka and K. Kadono, “Effect of surface offset angle on NiO initial growth on β-Ga2O3 by mist chemical vapor deposition” Appl. Surf. Sci., 710 (2025) 163977.
5. 楠田 豊, 浅井 祐輝, 西中 浩之、「樹脂基板への適用を目指したプラズマCVDによる60℃以下でのSiO2成膜」材料 74巻6号 (2025)　394-398.
6. K. Shimazoe, I. Seike, K.　Kanegae, and H. Nishinaka, “Enhanced growth temperature window and Sb doping of rutile GeO2 enabled by graded buffer layers” Jpn. J. Appl. Phys, 64 (2025) 050903.
7. S. Hosaka, K. Kanegae, H. Miyake, and H. Nishinaka, “Highly conductive Si-doped β-(AlxGa1－x)2O3(010) thin films via mist chemical vapor deposition(Featured article)” AIP Adv., 15 (2025) 035045.
8. K. Kanegae, K. Shimazoe, I. Seike, and H. Nishinaka, “Ni/rutile GeO2 vertical Schottky barrier diode on Nb-doped TiO2 substrate using Sb-doped graded GeySn1-yO2 buffer layers”, Appl. Phys. Express, 18 (2025) 041001.
9. Y. Kusuda, Y. Asai, T. Miyashita, and H. Nishinaka, “Plasma-enhanced chemical vapor deposition of SiO2 films at 400 kHz and 100°C using tetraethyl orthosilicate with oxygen and SiH4 with nitrous oxide”, Jpn. J. Appl. Phys.,64 (2025) 04SP48.
10. K. Watanabe, K. Imai, and H. Nishinaka, “Film Deposition and Optical Properties of Cu-Based Metal Halide Cs3Cu2(I1–xBrx)5 Alloy via Mist Deposition”, ACS Omega, 10 (2025) 10972-10978.
11. T. Kato, K. Shimazoe, and H. Nishinaka, “Stabilization and Semiconductor Functionality of Metastable δ-Ga2O3: Buffer Layer Engineering for Deep UV Photodetection” ACS Appl. Electron. Mater., 7 (2025) 1432.

2024年

1. K. Watanabe, H. Nishinaka, “Deposition and optical properties of Mn2+-doped Cs3Cu2I5 thin films”, 2024 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (2024) P1-P2 .
2. M. Ikeda, M. Azuma, T. Miyamoto, H. Nishinaka, “Electrical Characterization of Non-volatile Mott Transition in Mist CVD Deposited NiO Thin Films for CeRAM Applications”, 2024 IEEE International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), (2024) P1-P2 .
3. R. Kondo, K. Shimazoe, and H. Nishinaka, “Alloying Ga2O3 with Fe2O3 on Corundum-Structured rh-ITO by Mist CVD and Its Demonstration of Photodetector and Photoelectrode Applications” Phys. Status Solidi (B), (2024) 2400441.
4. 渡邉 啓佑, 西岡 悠哉, 今井 虹甫, 西中 浩之、「ミストデポジションにおける異なる前駆体組成によるCs-Cu-I系の薄膜形成と光学的特性」材料 73巻10号 (2024)　768-773.
5. G. Yasui, H. Miyake, K. Shimazoe, and H. Nishinaka, “Heteroepitaxial Growth of NiO Thin Films on (-201) β-Ga2O3 by Mist Chemical Vapor Deposition” Phys. Status Solidi (B), (2024) 2400442.
6. H. Nishinaka, Y. Kajita, S. Hosaka, and H. Miyake, “Composition Analysis of β-(InxGa1-x)2O3 Thin Films Coherently Grown on (010) β-Ga2O3 Via Mist CVD” Sci. Technol. Adv. Mater., 25 (2024) 2414733.
7. K. Shimazoe, T. Ogawa, and H. Nishinaka, “Growth of water-insoluble rutile GeO2 thin films on (001) TiO2 substrates with graded GexSn1-xO2 buffer layers” Appl. Phys. Express, 17 (2024) 105501.
8. K. Shimazoe, S. Kurosawa, H. Tanaka, T. Takata and H. Nishinaka, “Tolerance of Corundum-Structured Tin-Doped Indium Oxide Thin Films to Gamma-ray Irradiation” Phys. Status Solidi (B), (2024)　2400368.
9. M. Kaneko, H. Miyake, and H. Nishinaka, “Demonstration of β-(AlxGa1-x)2O3/β-Ga2O3 superlattice growth by mist chemical vapor deposition” Jpn. J. Appl. Phys., 63 (2024) 098002.
10. R. Ueda, H. Nishinaka, H. Miyake, and M. Yoshimoto, “Enhancing growth rate in homoepitaxial growth of β-Ga2O3 with flat surface via hydrochloric acid addition in mist CVD(Featured article)” AIP Adv., 14 (2024) 085309.
11. K. Watanabe, H. Nishinaka, Y. Nishioka, K. Imai, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “The deposition and the optical characteristics of Cu-based metal halide Cs3Cu2I5 thin film via mist deposition” Jpn. J. Appl. Phys., 63 (2024) 050901.
12. T. Kano, H. Nishinaka, Y. Arata, and M. Yoshimoto, “Nitrogen Doping in VO2 Thin Films on Synthetic Mica Substrates Through Mist Chemical Vapor Deposition: Lowering the Metal–Insulator Transition Temperature Toward Smart Windows” Adv. Mater. Interfaces, (2024) 2400038.
13. M. Kaneko, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Crystallographic and band structure analysis of β-(AlxGa1－x)2O3/β-(InyGa1－y)2O3 thin film grown on β-Ga2O3 substrate via mist CVD” AIP Adv., 14 (2024) 045102.
14. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Demonstration of vertical schottky barrier diodes based on α-Ga2O3 thin films enabled by corundum structured rh-ITO bottom electrodes” MRS Adv., 9 (2024) pp.646-650.
15. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of a-, m-, and r-plane α-Ga2O3 thin films on rh-ITO electrodes for vertical device applications” J. Cryst. Growth, 630 (2024) 127596.
16. S. Hosaka, H. Nishinaka, T. Ogawa, H. Miyake, and M. Yoshimoto, “High conductivity of n-type β-Ga2O3(010) thin films achieved through Si doping by mist chemical vapor deposition” AIP Adv., 14 (2024) 015040.
17. Y. Taniguchi, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Kawaharamura, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Visible-light absorption of indium oxide thin films via Bi3+ doping for visible-light-responsive photocatalysis” Mater. Chem Phys., 315 (2024) 128961.
18. T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of δ-Ga2O3 thin films grown on YSZ and sapphire substrates using β-Fe2O3 buffer layers via mist CVD” Phys. Status Solidi (A) Appli. Mater., 221 (2024) 2300582.

2023年

1. O. Ueda, H. Nishinaka, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto, “TEM characterization of defects in κ-(InxGa1-x)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by mist CVD” Jpn. J. Appl. Phys., 62 (2023) 125501.
2. 西中 浩之「ミストCVD法によるGa2O3の結晶多形制御技術」材料　72巻10号 (2023)　750-756.
3. Y. Kunihashi, Y. Shinohara, S. Hasegawa, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, K. Oguri, H. Gotoh, M. Kohda, J. Nitta, snd H. Sanada, “Bismuth induced enhancement of Rashba spin–orbit interaction in GaAsBi/GaAs heterostructures” Appl. Phys. Lett., 122 (2023) 182402.
4. S. Hasegawa, N. Hasuike, K. Kanegae, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Raman scattering study of photoexcited plasma in GaAsBi/GaAs heterostructures: Influence of carrier confinement on photoluminescence” Mater. Sci. Semicond. Process., 162 (2023) 107543.
5. K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Taniguchi, T. Kato, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Vertical self-powered ultraviolet photodetector using α-Ga2O3 thin films on corundum structured rh-ITO electrodes” Mater. Lett., 341 (2023) 134282.
6. T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Demonstration of Bixbyite-Structured δ-Ga2O3 Thin Films Using β-Fe2O3 Buffer Layers by Mist Chemical Vapor Deposition” ACS Appl. Electron. Mater., 5 (2023) 1715.
7. Y. Arata, H. Nishinaka, K. Kazutaka, M. Takeda, and M. Yoshimoto, “Modulation of optical properties in epitaxial ZnO thin films on synthetic mica by incorporating Mg and bending stress” MRS Adv., 8 (2023) 371-375 .
8. T. Ogawa, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Nagaoka, H. Miyake, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Homoepitaxial growth of Ge doped β-gallium oxide thin films by mist chemical vapor deposition” Jpn. J. Appl. Phys., 62 (2023) SF1016.
9. S. Hasegawa, N. Hasuike, K. Kanegae, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Raman scattering study on dilute nitride-bismide GaNAsBi? alloys: behavior of photo-excited LO phonon-plasmon coupled mode” Jpn. J. Appl. Phys., 62 (2023) 011003 .
10. M. Kaneko, H. Nishinaka, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Coherent growth of β-(AlxGa1-x)2O3 alloy thin films on (010) β-Ga2O3 substrates using mist CVD” Jpn. J. Appl. Phys., 62 (2023) SF1002 .
11. H. Nishinaka, K. Shimazoe, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Corundum-structured α-Fe2O3 substrates for α-Ga2O3 epitaxial growth” Mater. Lett., 336 (2023) 133784 .
12. S. Tanaka, Y. Fujiwara, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, and M. Noda “Mist-CVD-derived Hf0.55Zr0.45O2 ferroelectric thin films post-annealed by rapid thermal annealing(Featured article)” AIP Adv., 13 (2023) 015304.

2022年

1. Y. Arata, H. Nishinaka, M. Takeda, and M. Yoshimoto, “Strain-Induced Modulation of Resistive Switching Temperature in Epitaxial VO2 Thin Films on Flexible Synthetic Mica” ACS Omega, 7 (2022) 41768-41774.
2. 島添和樹、 西中浩之、 新田悠汰、 吉本 昌広「LiTaO3基板上へのα-Ga2O3の成長にα-Fe2O3バッファ層の成長時間が与える影響」材料　71巻10号 (2022)　830-834.
3. M. Biswas, and H. Nishinaka, “Thermodynamically metastable α-, ε- (or κ-), and γ-Ga2O3: From material growth to device applications” APL Mater., 10 (2022) 060701.
4. H. Nishinaka, O. Ueda, N. Ikenaga, N. Hasuike, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Growth of indium-incorporated κ-Ga2O3 thin film lattice-matched to the ε-GaFeO3 substrate” Mater. Lett.: X, 14 (2022) 100149.
5. H. Kawata, S. Hasegawa, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Improving the photovoltaic properties of GaAs/GaAsBi pin diodes by inserting a compositionally graded layer at the hetero-interface” Semicond. Sci. Tech, 37 (2022) 065016.
6. K. Shimazone, H. Nishinaka, K. Watanabe, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of metastable c-plane rhombohedral indium tin oxide using mist chemical vapor deposition” Mater. Sci. Semicond. Process, 147 (2022) 106689.
7. Y. Kajita, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Observing the microstructure of a (001) κ-Ga2O3 thin film grown on a (－201) β-Ga2O3 substrate using automated crystal orientation mapping transmission electron microscopy(HOT articles)” CrystEngComm, 24 (2022) 3239.
8. Y. Ogura, Y. Arata, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Alloying In2O3 and Ga2O3 on AlN templates for deep-ultraviolet transparent conductive films by mist chemical vapor deposition” Jpn. J. Appl. Phys., 61 (2022) SC1037.
9. H. Nishinaka, O. Ueda, Y. Ito, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto, “Plan-view TEM observation of a single-domain κ-Ga2O3 thin film grown on ε-GaFeO3 substrate using GaCl3 precursor by mist chemical vapor deposition” Jpn. J. Appl. Phys., 61 (2022) 018002.

2021年

1. 新田 悠汰、 西中 浩之、 島添 和樹、 吉本 昌広「α-Fe2O3バッファ層の挿入によるフレキシブルな合成雲母基板上へのα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」材料　70巻10号 (2021)　738-744.
2. H. Kawata, S. Hasegawa, J. Matsumura, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Fabrication of a GaAs/GaNAsBi? solar cell and its performance improvement by thermal annealing” Semicon. Sci. Tech., 36 (2021) 095020.
3. M.Fregolent, M. Buffolo, C. De Santi, S. Hasegawa, J. Matsumura, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, G. Meneghesso, E. Zanoni and Matteo Meneghini, “Deep levels and carrier capture kinetics in n-GaAsBi alloys investigated by deep level transient spectroscopy” J. Phys. D: Appl/ Phys., 54 (2021) 345109 .
4. H. Nishinaka, T. Nagaoka, Y. Kajita, and M. Yoshimoto, “Rapid homoepitaxial growth of (010) β-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition” Mater. Sci. Semicond. Process, 128 (2021) 105932 .
5. R. Horie, H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of γ-(AlxGa1-x)2O3 alloy thin films on spinel substrates via mist chemical vapor deposition” J. Alloys Compd., 851 (2021) 156927 .

2020年

1. H. Nishinaka, O. Ueda, D. Tahara, Y. Ito, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto, “Single-Domain and Atomically Flat Surface of κ-Ga2O3 Thin Films on FZ-Grown ϵ-GaFeO3 Substrates via Step-Flow Growth Mode” ACS Omega, 5 (2020) P29585-P29592 .
2. Y. Fujiwara, D. Tahara, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, and M. Noda, “A preliminary study on mist CVD-derived ferroelectric Hf1-xZr xO2films featuring its possibility of suitable operation for non-volatile analog memory” Jpn. J. Appl. Phys., 59 (2020) SPPB09 .
3. N. Isomura, T, Nagaoka, Y. Watanabe, K. Kutsuki, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Determination of Zn-containing sites in β-Ga2O3film grown through mist chemical vapor deposition via X-ray absorption spectroscopy” Jpn. J. Appl. Phys., 59 (2020) 070909 .
4. K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Phase control of α-and κ-Ga2O3 epitaxial growth on LiNbO3 and LiTaO3 substrates using α-Fe2O3buffer layers” AIP Adv., 10 (2020) 055310 .
5. Y. Arata, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Epitaxial Growth of Bendable Cubic NiO and In2O3 Thin Films on Synthetic Mica for p-and n-type Wide-Bandgap Semiconductor Oxides” MRS Adv., 5 (2020) P1671-P1679 .
6. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Van der Waals epitaxy of ferroelectric ϵ-gallium oxide thin film on flexible synthetic mica” Jpn. J. Appl. Phys., 59 (2020) 025503 .
7. W.S. Yoo, K. Kang, T. Ishigaki, J.G. Kim, N. Hasuike, H. Harima, and M. Yoshimoto, “Thermal silicidation of Ni/SiGe? and characterization of resulting silicide films using Raman spectroscopy and X-Ray diffraction” ECS Transactions, 98 (2020) P457-P464 .

2019年

1. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Microstructures of ϵ-Ga2O3 thin film on (100) TiO2 substrate by mist chemical vapor deposition”, IMFEDK2019, 8950694 (2019) P79-P80 .
2. S. Morimoto, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Growth and characterization of F-doped α-Ga2O3 thin films with low electrical resistivity” Thin Solid Films, 682 (2019) P18-P23 .
3. K. Kakuyama, S. Hasegawa, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Impact of a small change in growth temperature on the tail states of GaAsBi(editor’s　pick)” J. Appl. Phys., 58 (2019) 060907.
4. S. Hasegawa, K. Kakuyama, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “PEDOT:PSS/GaAs1-xBi x organic-inorganic solar cells” Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) 060907.
5. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Sato, L. Li, T. Kawaharamura, M. Yoshimoto, and M. Noda, “Mist chemical vapor deposition study of 20 and 100 nm thick undoped ferroelectric hafnium oxide films on n+-Si(100) substrates” Jpn. J. Appl. Phys., 58 (2019) SLLB10 .

2018年

1. D. Tahara, H. Nishinaka, M. Noda, and M. Yoshimoto, “Use of mist chemical vapor deposition to impart ferroelectric properties to ε-Ga2O3 thin films on SnO2/c-sapphire substrates” Mater. Lett., 232 (2018) P47-P50 .
2. H. Nishinaka, H. Komai, D. Tahara, Y. Arata, and M. Yoshimoto, “Microstructures and rotational domains in orthorhombic ϵ-Ga2O3 thin films” Jpn. J. Appl. Phys. 57 (2018) 115601 .
3. O. Vaccaro, M. I. Alonso, M. Garriga, J. Gutierrez, D. Pero, M. R. Wagner, J. S. Reparaz, C. M. Sotomayor Torres, X. Vidal, E. A. Carter, P. A. Lay, M. Yoshimoto, and A. R. Goni, “Localized thinning for strain concentration in suspended germanium membranes and optical method for precise thickness measurement” AIP Adv., 8 (2018) 115131 .
4. H. Nishinaka and M. Yoshimoto, “Mist Chemical Vapor Deposition of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Thin Films with High Electrical Conductivity and Transparency on Various α-Al2O3 Substrates” Cryst. Growth Des., 18 (2018) P4022-P4028 .
5. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of ϵ-(AlxGa1-x)2O3 alloy films on c -plane AlN templates by mist chemical vapor deposition”, Appl. Phys. Lett., 112 (2018) 152102 .
6. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of single-phase ϵ-Ga2O3 thin films on c-plane sapphire by mist chemical vapor deposition using a NiO buffer layer” CrystEngComm, 20 (2018) P6236-P6242 .
7. H. Nishinaka, N. Miyauchi, D. Tahara, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, “Incorporation of indium into ϵ-gallium oxide epitaxial thin films grown: Via mist chemical vapour deposition for bandgap engineering” CrystEngComm, 20 (2018) P1882-P1888 .

2017年

1. H. Nishinaka, D. Tahara, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of α-Ga2O3 thin films on a-, m-, and r-plane sapphire substrates by mist chemical vapor deposition using α-Fe2O3 buffer layers” Mater. Lett., 205 (2017) P28-P31 .
2. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of ε-Ga2O3 thin films on cubic (111) GGG substrates by mist chemical vapor deposition”, IMFEDK2017, 7998036 (2017) P48-P49 .
3. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, “Stoichiometric control for heteroepitaxial growth of smooth ϵ-Ga2O3 thin films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition”, Jpn. J. Appl. Phys. 56 (2017) 078004 .

2016年

1. W. S. Yoo, K. Kang, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, K. Sekar, ” Micro-raman characterization of cluster carbon implanted si before and after rapid thermal annealing”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 75 (2016) P605-P613
2. H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Solution-based mist CVD technique for CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 inorganic-organic perovskites”, Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 100308 .
3. H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial growth of epsilon-Ga2O3 thin films on cubic MgO (111) and YSZ (111) substrates by mist chemical vapor deposition” Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 1202BC .

2015年

1. W. S. Yoo, K. Kang, G. Murai, M. Yoshimoto, “Temperature dependence of photoluminescence spectra from crystalline silicon”, ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P456-P461
2. W.S. Yoo, M. Yoshimoto, A. Sagara, S.Shibata, “Room temperature Photoluminescence characterization of low dose As+ implanted Si after rapid thermal annealing” ECS Solid State Lett. 4 (2015) P51-P54
3. W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan, “Characterization of hetero-epitaxial Ge films on Si using multiwavelength micro-raman spectroscopy” ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P9-P15
4. W.S. Yoo, H. Harima, M. Yoshimoto, “Polarized raman signals from Si wafers: Dependence of in-plane incident orientation of probing light” ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P356-P363

2026年

1. H. Nishinaka, K. Kanegae, K. Shimazoe, I. Seike “Epitaxial growth of Rutile GeO2 by Mist CVD and its application to Schottky barrier diodes”(Invited), SPIE Photonics West, San Francisco(US), 2026/1, Oxide-based Materials and Devices XVII, 13897-4.

2025年

1. K. Shimazoe, M Kato, and H. Nishinaka, “Orientation Control of α-Fe2O3 Photoanodes for Efficient Solar Energy Conversion″, 2025 MRS Fall Meeting & Exhibit, Boston(USA), 2025/11, EN02.11.38.
2. T. Kawabe, T. Wydeven, N. Hasuike, and H. Nishinaka, “Impact of Temperature on Structural and Mechanical Properties of Silicon Carbon Nitride Films by RF-PECVD″, 46th International Symposium on Dry Process, Ehime(Japan), 2025/11, P2-35.
3. T. Kano, and H. Nishinaka, “Low-Temperature Phase Transition of N-doped VO₂ Thin Films Grown on Synthetic Mica and Quartz Substrates″, 31th International Workshop on Oxide Electronics, Banff(Canada), 2025/9, Poster Session 2-14.
4. H. Nishinaka, “Strategic polymorph control in Ga2O3 and GeO2 growth by mist CVD″(Invited), Annual Meeting and Status Seminar FOR2857 Fall School, Prague(Czech Republic), 2025/9.
5. K. Shimazoe, M. Kato, K. Kanegae, and H. Nishinaka, “Growth and Sb doping of rutile germanium dioxide enabled by graded buffer layers″, 8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices, Wrocław(Poland), 2025/9, We1-2-3.
6. I. Seike, H. Miyake, and H. Nishinaka, “Growth and Characterization of homoepitaxial F-doped β-Ga2O3 thin films grown by Mist CVD″, 8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices, Wrocław(Poland), 2025/9, Mo3-1-P2. 学会報告を見る
7. A. Saito, K. Shimazoe, and H. Nishinaka, “Thermal stability of δ-Ga2O3 thin films grown by mist-CVD″, 8th International Workshop on Ultra-Wide Bandgap Materials and Devices, Wrocław(Poland), 2025/9, Mo3-1-P1. 学会報告を見る
8. M. Azuma, M. Ikeda, T. Miyamoto, and H. Nishinaka, “Temperature Dependence of Non-polar Switching Characteristics of carbon-doped HfOx thin films formed by mist CVD for CeRAM″, 2025 International Conference on Solid State Devices and Materials, Yokohama(Japan), 2025/9, J-6-05 (Late News).
9. H. Nishinaka, and K. Shimazoe, “Mist CVD for Polymorph Control of Wide Bandgap Oxide Semiconductors: Ga2O3 And GeO2″(Invited), ISPlasma2025/IC-PLANTS2025, Kasugai(Japan), 2025/3, 04pC05I.

2024年

1. K. Watanabe, and H. Nishinaka, “Optical Properties of Organic-Inorganic Hybrid (TMS)3Cu2I5 Thin Films Formed by Mist Deposition”, 2024 MRS Fall Meeting, Boston(US), 2024/12, EL04.18.31.
2. K. Watanabe, and H. Nishinaka, “Deposition and optical properties of Mn2+-doped Cs3Cu2I5 thin films”, The 2024 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Kyoto(Japan), 2024/11, R04.
3. M. Ikeda, M. Azuma, T. Miyamoto, and H. Nishinaka, “Electrical Characterization of Non-volatile Mott Transition in Mist CVD Deposited NiO Thin Films for CeRAM Applications”, The 2024 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Kyoto(Japan), 2024/11, P01.
4. Y. Kusuda, T. Miyashita, Y. Asai and H. Nishinaka, “Low temperature deposition of SiO2 by Plasma Enhanced CVD using SiH4 or TEOS”, 45th International Symposium on Dry Process, Hokkaido(Japan), 2024/11, P-49.
5. M. Azuma M. Ikeda, T. Miyamoto and H. Nishinaka, “Mott Transition Switching Phenomenon of Carbon-doped HfOx? Thin Film and Application to CeRAM”, 2024 International Conference on Solid State Devices and Materials, Himeji (Japan), 2024/9, PS-02-27.
6. S. Hosaka and H. Nishinaka, “HIGH CONDUCTIVITY OF SI-DOPED Β-(ALXGA1-X)2O3 THIN FILMS VIA MIST CVD”, Compound Semiconductor Week 2024, Lund (Sweden), 2024/6, P-28.
7. K. Shimazoe,S. Kurosawa, H. Tanaka, T. Takata and H. Nishinaka, “THE EFFECT OF O3 ASSISTANCE TO CORUNDUM STRUCTURED In2O3:Sn AND ITS STABILITY TO GAMMA-RAY EXPOSURE”, Compound Semiconductor Week 2024, Lund (Sweden), 2024/6, P-19.
8. T. Kano,and H. Nishinaka, “GROWTH AND CHARACTERIZATION OF N-DOPED VO2 THIN FILMS ON QUARTZ SUBSTRATES BY THE MIST CVD”, Compound Semiconductor Week 2024, Lund (Sweden), 2024/6, P-18.
9. A.Sacchi, F. Mezzadri, A. Ardenghi, O. Bierwagen, J. Lähnemann, H. Tornatzky, M. R. Wagner, H. Nishinaka, R. Fornari, P. Mazzolini, “Molecular beam epitaxy of (001)κ-Ga2O3 thin films on ε-GaFeO3 substrates”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, MoA1_2.
10. B. M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meißner, M. N. Marggraf, C. V. Hartung, A. Wüthrich, N. Bernhardt, F. Nippert, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, M. Bosi, L. Seravalli, R. Fornari, C. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, A. Ardenghi, O. Bierwagen, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka and M. R. Wagner, “Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, MoA2_4.
11. M. Sugimoto, T. Ogawa, O. Ueda, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Crystal Growth Dynamics of κ-Ga2O3 Thin Films on ε-GaFeO3 Substrates by Mist CVD”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, MoP_35.
12. Carolina Fernández-Saiz, Carmen Martínez-Tomás, Hiroyuki Nishinaka, Vicente Muñoz-Sanjosé, “Crystal growth of gallium indium sesquioxide by using the MIST-CVD technique”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, MoP_47.
13. R. Kondo, K. Shimazoe, H.Nishinaka and M. Yoshimoto, “(Ga, Fe)2O3 alloy thin films grown on rh-ITO electrodes by mist CVD”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, TuP_32.
14. G. Yasui, H. Nishinaka, H. Miyake, and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial Growth of NiO thin films on (-201) β-Ga2O3 by mist CVD”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, WeP_39.
15. K. Shimazoe, H. Nishinaka and M. Yoshimoto, “Heteroepitaxial Growth of α-Ga2O3 on Various Planes of Corundum Structured Indium Tin Oxide for Vertical UV-C Photodetectors”, The 5th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Berline(Germany), 2024/5, FrM2_1.
16. H. Nishinaka, “Mist CVD for tailoring five polymorphs via epitaxial techniques”(Invited), SPIE Photonics West, San Francisco(US), 2024/1, Oxide-based Materials and Devices XV, 12887-22.

2023年

1. T. Kano, Y. Arata, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Growth and Characterization of N-Doped VO2 Thin Films for the Thermochromic and Smart Windows by the Mist Chemical Vapor Deposition”, 2023 MRS Fall Meeting, Boston(US), 2023/12, SF03.06.19.
2. K. Shimazoe, H. Nishinaka, T. Ogawa, and M. Yoshimoto, “Vertical α-Ga2O3 Device Applications Enabled by Same Crystal Structured Indium Tin Oxide Electrode Via Mist Chemical Vapor Deposition”, 2023 MRS Fall Meeting, Boston(US), 2023/12, EL11.11.04.
3. Y. Kusuda, T. Miyashita, Y. Asai, and H. Nishinaka, ” A Comparison of Low-Temperature Deposition for SiO2 in PECVD Using SiH4 and TEOS”, 244th ECS Meeting, Gothenburg(Sweden), 2023/10, D02-1172.
4. Benjamin M. Janzen, N. Hajizadeh, M. Meißner, M, Marggraf, C. Hartung, Z. Galazka, P. Mazzolini, A. Sacchi, R. Fornari, C. Petersen, H. von Wenckstern, M. Grundmann, E. Kluth, M. Feneberg, R. Goldhahn, T. Oshima, T. Kato, H. Nishinaka, J. Varley, M. Wagner, “Comparative Study of Temperature-Dependent Bandgap Transitions in Ga2O3 Polymorphs”, The 6th U.S. Galium Oxide Workshop, New York(US), 2023/8, AC+TM-MoM-6.
5. K. Shimazoe, H. Nishinaka, T. Kato, Y. Taniguchi, and M. Yoshimoto, “Mist chemical vapor deposition of α-Ga2O3 and α-Fe2O3 thin films on corundum-structured rh-ITO electrode”, International Conference on Crystal Growth and Epitaxy 20th, Naples(Italy), 2023/8, SG-I-1-02.
6. K. Watanabe, Y. Nishioka, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Deposition and optical properties of Mn-doped Cs3Cu2I5 thin films by mist deposition” EM-NANO 2023, Kanazawa , 2023/6, PB-47.
7. H. Nishinaka, K. Shimazoe, M. Kaneko, T. Ogawa, T. Kato, Y. Taniguchi, and M. Yoshimoto, “Tailoring Five Polymorphs of Ga2O3 using Mist CVD”, Ultra-wide bandgap oxides 2023, Bristol(UK), 2023/6, Session 3: Material growth.
8. Y. Taniguchi, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Kawaharamura, and M. Yoshimoto, “Incorporation of Bismuth into In2O3 and Ga2O3 thin films to introduce intermediate levels”, Ultra-wide bandgap oxides 2023, Bristol(UK), 2023/6, posters.
9. T. Kato, H. Nishinaka, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of δ-Ga2O3 thin films using β-Fe2O3 buffer layers grown on YSZ and sapphire substrates by mist CVD” Compound Semiconductor Week 2023, Jeju (Korea), 2023/5, P1-076.
10. R. Ueda, S. Hasegawa, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Determination of hole mobility in p-type GaAsBi by Raman spectroscopy” Compound Semiconductor Week 2023, Jeju (Korea), 2023/5, P1-060.
11. Y. Taniguchi, H. Nishinaka, K. Shimazoe, T. Kawaharamura, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Visible-light absorption of In2O3 thin films and nanorods by incorporation of Bismuth for visible light-responsive photocatalyst”, European Materials Research Society 2023 Spring Meeting, Strasbourg(France), 2023/5, C_P01 16_1464.
12. Y. Kusuda, Y. Asai, H. Nishinaka, O. Tsuji, “Low stress TEOS-SiO2 films deposited by PECVD using a low frequency” 25th International Symposium on Plasma Chemistry, Kyoto(Japan), 2023/5, POS-8-211.

2022年

1. K. Shimazoe, “MOCVD Growth of ZnO Thin Films and Spray Pyrolysis Growth of Ga2O3 , In2O3 , and Their Alloys”, Jornada Científica sobre obtención y caracterización de materiales para la plasmónica, Online (University of Valencia), 2022/12.
2. Y. Arata, H. Nishinaka, M. Takeda, and M. Yoshimoto, “van der Waals Epitaxy of Oxide Thin Films on Flexible Synthetic Mica for Modulation of Physical Properties by Bending Stress” 2022 MRS Fall meeting, Boston(USA), 2022/12, NM07.10.08.
3. K. Kaneko, H. Nishinaka, Y. Kajita, K. Kanegae, and M. Yoshimoto, “Alloying β-(AlxGa1-x)2O3 thin films grown on (010) β-Ga2O3 substrates by mist CVD” The 2022 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, 2022/11, P09.
4. C. Fernández-Saiz, C. Martínez-Tomás, S. Agouram, H. Nishinaka, V. Muñoz-Sanjosé, “Crystal growth of Ga2O3 thin films via Mist-CVD” 18th Symposium of Young Chemical Researchers of the RSEQ, Sevilla Spain, 2022/11, P-104.
5. O. Ueda, H. Nishinaka, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto, “TEM characterization of defects in κ-(Ga1-xInx)2O3 thin film grown on (001) FZ-grown ε-GaFeO3 substrate by Mist CVD”, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nagano(Japan), 2022/10, Pos2-08.
6. M. Kaneko, H. Nishinaka, Y. Kajita, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of β-(AlxGa1-x)2O3 and β-(InxGa1-x)2O3 alloy thin films on (010) β-Ga2O3 substrates via mist chemical vapor deposition”, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nagano(Japan), 2022/10, Epi2-7.
7. T. Kato, H. Nishinaka, K.Shimazoe, and M. Yoshimoto, “Demonstration of δ-Ga2O3 epitaxial thin films using β-Fe2O3 buffer layers by mist CVD”, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nagano(Japan), 2022/10, Pos1-16.
8. T. Ogawa, H. Nishinaka, K.Shimazoe, T. Nagaoka, H. Miyake, and M. Yoshimoto, “Homoepitaxial growth of Ge-doped β-Ga2O3 films by mist chemical vapor deposition”, The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nagano(Japan), 2022/10, Pos1-12.
9. H. Nishinaka, O. Ueda, N. Ikenaga, N. Hasuike, and M. Yoshimoto, “Single-domain κ-Ga2O3 thin films grown on ε-GaFeO3 substrates by mist CVD”(Invited), The 4th International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials, Nagano(Japan), 2022/10, Epi1-2.
10. Y. Arata, H. Nishinaka, M. Takeda, and M. Yoshimoto, “Effect of bending stress on the optical properties of ZnO epitaxial thin films grown on flexible synthetic mica.” 8th International Symposium on Transparent Conductive Materials and 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics, Crete(Greece), 2022/10.
11. T. Ishino, K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Epitaxial growth of Mo-doped Indium Oxide (IMO) thin film on (111)YSZ by mist chemical vapor deposition.” 8th International Symposium on Transparent Conductive Materials and 12th International Symposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics, Crete(Greece), 2022/10.
12. K. Kanegae, T. Narita, K. Tomita, T. Kachi, M. Horita, T. Kimoto, and J. Suda, “Percentage of CN Acceptors to Residual Carbon Atoms in n-Type GaN Homoepitaxial Layers”, International Workshop on Nitride Semiconductors 2022, Berlin, 2022/10.
13. Y. Seki, A. Okada, Y. Kajita, H. Nishinaka, K. Kadono, “Effect of Surface Orientation and Morphology of β-Ga2O3 Substrates on the Initial Stage of NiO Epitaxial Growth”, The 22nd International Vacuum Congress, Sapporo Covention Center(Sapporo), 2022/9.
14. S. Hasegawa, N. Hasuike, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, “Raman Study of Photoexcited Plasma in GaAs/GaAsBi Heterostructures”, 9th International Symposium on Control of Semiconductor Interfaces, Nagoya University(Nagoya), 2022/9.
15. M. Azuma, “Development and commercialization of embedded FeRAM”, KIT/Symetrix International Symposium, Online(Kyoto Inst. Tech.), 2022/8.

2021年

1. S. Hasegawa, H. Kawata, R. Aoki, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, “GaNAsBi?/GaAs Multiple Quantum well Structures Grown by plasmaassisted Molecular Beam Epitaxy: Bi Incorporation Scheme at an Interface”,The International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies 2021, Online, 2021/12.
2. Y. Kunihashi, Y. Tanaka, H. Sanada, K. Oguri, M. Kohda, J. Nitta, S. Hasegawa, H. Nishinaka, M. Yoshimoto, H. Gotoh, “Spin Dynamics Induced by In-plane Magnetic Field in GaAsBi“,The International Symposium on Novel maTerials and quantum Technologies 2021, Online, 2021/12.
3. Y. Seki, A. Okada, Y. Kajita, H. Nishinaka, K. Kadono, “Surface morphologies and band alignments of NiO layers grown on β-Ga2O3 surfaces.” The 9th International Symposium on Surface Science, Online(Tokushima), 2021/11.
4. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Growth of corundum structured oxides and their alloy for lattice matched applications.” The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Online(Kyoto), 2021/11.
5. H. Umemura, Y. Ishisaki, D. Matsukawa, M. Kimura, and H. Nishinaka, “Evaluation of electrical properties of ferroelectric HfO2 thin films for neuromorphic Systems” The 2021 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Online(Kyoto), 2021/11.
6. Y. Ogura, Y. Arata, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial Growth of Indium-Gallium-Oxide-Alloy Thin Films on AlN Templates by Mist Chemical Vapor Deposition ” 2021 International Conference on Solid State Devices and Materials, Online, 2021/9.

2020年

1. K. Watanabe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Deposition and Characteristics of lead-free Cs3Cu2(Cl1-xIx)5(0≦x≦1) thin films ” IMFEDK2020 Satellite event, Online(Kyoto), 2020/11.
2. K. Shimazoe, H. Nishinaka, Y. Arata, Y. Ito, and M. Yoshimoto, ” Growth of Rhombohedral Indium Oxide Thin Films on LiTaO3 Substrate for Fabrication of Lattice Matched Indium Gallium Oxide Power Devices ” IMFEDK2020 Satellite event, Online(Kyoto), 2020/11.
3. Y. Arata, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial Growth of ZnO Thin Films on Flexible Substrates and Characteristics of Optical Properties by Bending ” IMFEDK2020 Satellite event, Online(Kyoto), 2020/11.

2019年

1. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto, ” Fabrication of Flexible and Epitaxial Oxide Thin Films on Cleaved Synthetic Mica Using Mist Chemical Vapor Deposition ” 2019 Materials Research Soceity Fall meeting, Hynes Convention Center, Boston, 2019/12.
2. K. Shimazoe, H. Nishinaka, D. Tahara, Y. Arata, and M. Yoshimoto, ” Growth and Characterization of Corundum Structure Oxide Semiconductor on α-Fe2O3 Buffer Layers by The Mist CVD Method ” 2019 Materials Research Soceity Fall meeting, Hynes Convention Center, Boston, 2019/12.
3. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe, Y. Ito, M. Noda, and M. Yoshimoto, ” Growth and Characterization of Orthorhombic ε-Ga2O3 Thin Films Fabricated via Mist Chemical Vapor Deposition Technique ” 2019 Materials Research Soceity Fall meeting, Hynes Convention Center, Boston, 2019/12.
4. S. Hasegawa, K. Kakuyama, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Characterization and Reduction of the Tail States in GaAsBi Alloy ” The 2019 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, 2019/11.
5. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto, ” Fabrication of Flexible and Epitaxial Metastable Ga2O3 Thin Films on Synthetic Mica Using OxideBuffer? Layer ” The 2019 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, 2019/11.
6. K. Shimazoe, H. Nishinaka, D. Tahara, Y. Arata, and M. Yoshimoto, ” Growth of α-and ε-Ga2O3Epitaxial Thin Films onLiTaO3Substrate ” The 2019 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, 2019/11.
7. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, K. Shimazoe, and M. Yoshimoto, ” Microstructures of ε-Ga2O3 Thin Film on (100)TiO2 Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition ” The 2019 International Meeting for Future of Electron Decives, Kansai, Ryukoku University Avanti Kyoto Hall, 2019/11.
8. K. Shimazoe, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Growth And Characterization of Single-Phase Metastable Rhombohedral Indium Tin Oxide Epitaxial Films on Various Plane α-Al2O3 Substrates with α-Fe2O3 Buffer ” Compound Semiconductor week 2018, Nara Todaiji Temple Culture Center, 2019/10
9. Y. Arata, H. Nishinaka, D. Tahara, K. Shimazoe, Y. Ito, and M. Yoshimoto, ” Van der Waals epitaxy of flexible ε- and α-Ga2O3 filmson cleaved mica by mist chemical vapor deposition ” 11th International Symoposium on Transparent Oxide and Related Materials for Electronics and Optics, Nara Todaiji Temple Culture Center, 2019/10.
10. Y. Ito, D. Tahara, Y. Arata, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Effect of plasma treatment of GaN templates on ε-Ga2O3 epitaxial growth by mist chemical vapor deposition ” 3rd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, USA Ohio, 2019/8.
11. D. Tahara, H. Nishinaka, Y. Arata, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial Growth of α-(InxAl1-x)2O3 Alloy Films by Mist Chemical Vapor Deposition ” 3rd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, USA Ohio, 2019/8.
12. S. Hasegawa, K. Kakuyama, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Growth temperature dependence of GaAsBi tail states probed by sub-band absorption and photoluminescence characteristics ” 10th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, France, 2019/7.
13. D. Tahara, H. Nishinaka, M. Noda, and M. Yoshimoto, ” A New Ferroelectric Undoped Hafnium Oxide Film on N+-Si(100) Substrate by a Novel Mist Chemical Vapor Deposition ” F2Cπ2 Joint conference 2019, Swiss, 2019/7.

2018年

1. T. Okumura, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial growth of SnO2:F thin films on c-plane sapphire substrate with tensile strain ” 7th International Symposium on Transparent Conductive Materials, Greece, 2018/10.
2. S. Morimoto, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Fabrication of F doped α-Ga2O3 thin film with low electrical resistivity ” 7th International Symposium on Transparent Conductive Materials, Greece, 2018/10.
3. S. Hasegawa, K. Kakuyama, P. Patil, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Fabrication of PEDOT: PSS/GaAs1-xBix solar cells ” 9th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Kyoto, 2018/7.
4. D. Tahara, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial Growth Mechanism of Inserted Rotation Domain for Orthorhombic ε‐Ga2O3Film on (100) TiO2 Substrate by Mist Chemical Vapor Deposition ” Compound Semiconductor week 2018, USA Boston, 2018/6.

2017年

1. N. Miyauchi, H. Nishinaka, D. Tahara, S. Morimoto, and M. Yoshimoto, ” Indium incorporation into ε-Ga2O3 epitaxial thin films grown by mist chemical vapor deposition ” 2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, Italy, 2017/9.
2. S. Morimoto, D. Tahara, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” ε-Ga2O3 epitaxial growth on AlN and GaN templates using GaCl3 precursor by mist chemical vapor deposition ” 2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, Italy, 2017/9.
3. D. Tahara, H. Nishinaka, S. Morimoto, N. Miyauchi, and M. Yoshimoto, ” Epitaxial growth of ε-Al2xGa2-2xO3alloy films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition ” 2nd International Workshop on Ga2O3 and Related Materials, Italy, 2017/9.
4. Kakuyama, K. Suzuki, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Fabrication of GaAsBi photodiodes and their spectral response” 8th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Germany, 2017/7.

2016年

1. D. Tahara, H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, ” Hexagonal phase-pure ε-Ga2O3 films grown on GaN(0001) templates by mist chemical vapor deposition” Compound Semiconductor week 2018, Yokohama, 2016/12.
2. M. Yoshimoto, R. Yoshioka, H. Kuruma, H. Nishinaka, “Fabrication of GaAsBi laser diodes with 1.1-um emission wavelength”(Invited), 7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 24-27, 2016, Shanghai, China, Invited talk 8.

2015年

1. H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, “Metastable rh-ITO epitaxial films on various sapphire substrates with alpha-Ga2O3 buffer layers”, International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Kyoto, Japan.
2. D. Sodeoka, Y. Sasada, H. Kinoshita, H. Ishida, M. Yoshimoto, “Leakage current mechanism at directly bonded Si/SiC interface”, 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, October 4 – 9, 2015
3. M. Yoshimoto, “GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength (Invited)” 6th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 19-22, 2015, Madison, Wisconsin, USA, M1-1
4. H. Kinoshita, M. Yoshimoto, “Behavior of Macroscopic Defects during the High-Speed Growth of Single Crystalline 6H-SiC (Invited)”, 2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, April 2015, San Francisco, CC10.01
5. M. Yoshimoto, “Molecular beam epitaxy of GaAsBi and its application to laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength (Invited)”, 18th European Molecular Beam Epitaxy workshop, Canazei, Italy, March 2015.

2025年

1. 幡山 英仁、鐘ケ江 一孝、西中 浩之、「HVPE成長β-Ga2O3 Schottky障壁高さの仕事関数依存性」 日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会）, 京都工芸繊維大学（京都），2025/11, 14.
2. 木下　諒人、西中 浩之、「ミストCVDによるSrTiO3(111)基板上へのκ-Ga2O3/MgOの成膜と深紫外線フォトダイオードへの応用」 日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会）, 京都工芸繊維大学（京都），2025/11, 13.
3. 平井 良明、Htet Su Wai、川原村 敏幸、西中 浩之、「SAWデバイス作製に向けたSi(100)基板上κ-Ga2O3の形成と評価」 日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会）, 京都工芸繊維大学（京都），2025/11, 9.
4. 杉元 実鈴、加納 大成、上田 修、三浦　良雄、西中 浩之、「ε-GaFeO3基板のオフ角がκ-Ga2O3薄膜の結晶成長に及ぼす影響」 日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会、ナノ材料部門第1回研究会（合同研究会）, 京都工芸繊維大学（京都），2025/11, 8.
5. 鐘ケ江 一孝、島添 和樹、清家 一朗、西中 浩之、「n 型ルチル構造酸化ゲルマニウムを用いた縦型Schottky障壁ダイオードの作製」(招待講演) 先進パワー半導体分科会第12回講演会，富山国際会議場（富山），2025/9, III-2 .
6. 髙田勝吾，西中浩之、「Growth of LiGa5O8 thin films on MgAl2O4 substrates by mist CVD」 The 44th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2025/10, Fr1-22.
7. 齋藤蒼生，島添和樹，西中浩之、「Thermal stability of δ-Ga2O3 thin films grown on YSZ substrates by mist CVD」 The 44th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2025/10, Fr1-15.
8. 清家一朗，三宅裕樹，西中浩之、「Controlling Conductivity of β-Ga2O3 thin films by F doping via Mist CVD」 The 44th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2025/10, Fr1-5.
9. 加納大成，西中浩之、「Tuning the Metal-Insulator Transition and Transmittance of VO2 Thin Films via Nitrogen Doping and Thickness Control」 The 44th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2025/10, We1-8.
10. 鐘ケ江 一孝、島添 和樹、清家 一朗、西中 浩之、「傾斜バッファ層/TiO2基板上のルチル構造酸化ゲルマニウムエピタキシャル成長層を用いた縦型Schottky障壁ダイオード」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 9p-N105-17.
11. 町 将太、三上 創太、吾妻 正道、山田 啓文、木村 睦、河西 秀典、西中 浩之、宮戸 祐治、「酸化ニッケルおよび酸化ガリウムスズ薄膜の局所抵抗変化比較」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 9p-N206-13.
12. 吾妻 正道、宮本 翼、西中 浩之、「ミストCVD法による炭素ドープしたジルコニア（ZrOx）薄膜のCeRAM向け非極性スイッチング特性」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 9p-N206-12.
13. 清家 一朗、三宅 裕樹、西中 浩之、「ミストCVDを用いたFドープによるβ-Ga2O3の導電性制御」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 9p-N105-13.
14. 杉元 実鈴、加納 大成、上田 修、西中 浩之、「ミストCVD法を用いたε-GaFeO3基板上に成膜するκ-Ga2O3薄膜の結晶成長メカニズム」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 9p-N105-12.
15. 齋藤 蒼生、島添 和樹、西中 浩之、「ミストCVD法によるδ-Ga2O3薄膜成長と熱的安定性」 第86回応用物理学秋季学術講演会, 名城大学天白キャンパス（名古屋），2025/9, 7p-N403-7.
16. 西中浩之、「ミストを用いた半導体形成技術：様々な半導体材料への展開」(依頼講演)　KRP,京都工芸繊維大学　環境技術セミナー, KRP（京都）, 2025/8.
17. 西中浩之、「ミスト CVD による Ga2O3 の結晶多形制御とデバイス応用」(招待講演)　応用物理学会　半導体の結晶成長と加工および評価に関する産学連携委員会　第10回研究会, 明治大学（東京）, 2025/6.
18. 木下諒人、西中浩之、「ミストCVDによるκ-Ga₂O₃/MgO/Nb:SrTiO₃の縦型深紫外線フォトダイオード」 電子情報通信学会電子デバイス研究会,　山形大学（米沢），2025/6, ED2025-12.
19. 島添和樹、鐘ケ江一孝、清家一朗、西中浩之、「酸化ゲルマニウム薄膜の相制御とそのデバイス応用」(招待講演) 電子情報通信学会電子デバイス研究会,　山形大学（米沢），2025/6, ED2025-11.
20. 吾妻 正道、池田 守、宮本 翼、西中 浩之、「CeRAM に向けたミスト CVD による炭素ドープした ハフニア／ジルコニア（HZO）薄膜の非極性スイッチング」 第72回応用物理学春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス（千葉），2025/3, 17p-K501-1.
21. 島添 和樹、清家 一朗、鐘ケ江 一孝、西中 浩之、「傾斜バッファ層による非水溶性ルチル構造酸化ゲルマニウム薄膜の成長」 第72回応用物理学春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス（千葉），2025/3, 16p-Y1311-12.
22. Fernandez-Saiz Carolina、島添 和樹、清家 一朗、加納 大成、西中 浩之、「ミストCVDにおけるBi添加によるルチル構造GeO2の成長安定化」 第72回応用物理学春季学術講演会, 東京理科大学野田キャンパス（千葉），2025/3, 17a-Y1311-5.
23. 池田 守、吾妻 正道、宮本 翼、西中浩之、「ミストCVDによるNiOx/HfOx薄膜の作製とCeRAM電気特性評価」　日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 香川大学（香川），2025/2, P-3.
24. 安井 弦、三宅 裕樹、西中浩之、「ミストCVD法を用いた(-201)β-Ga2O3上のNiO薄膜成長」　日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 香川大学（香川），2025/2, P-2.
25. 保坂 祥馬、鐘ヶ江 一孝、三宅 裕樹、西中浩之、「ミストCVDによるSiドープβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜の成長と評価」　日本材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 香川大学（香川），2025/2, P-1.

2024年

1. 加納大成，西中浩之、「30℃程度の低温で動作するスマートウインドウの実現に向けたNドープVO2薄膜の形成及び物性評価」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 29a-02.
2. 清家一朗，三宅裕樹，西中浩之、「ミストCVDによるFドープβ-Ga2O3のホモエピタキシャル成長とその評価」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 28p-P25.
3. 宮本翼，吾妻正道，池田守，西中浩之、「CeRAM向けにミストCVD 法を用いて低温プロセスで形成した炭素ドープ NiO 薄膜とデバイスの電気的特性評価」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 28p-P23.
4. 今井虹甫，渡邉啓佑，西中浩之、「ミストデポジションによるCu系無機メタルハライドの薄膜形成及び物性評価」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 28p-P15.
5. 木下諒人，西中浩之、「κ-Ga2O3を用いた縦型深紫外線フォトダイオード」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 28p-P09.
6. 平井良明，H.S. Wai，川原村敏幸，西中浩之、「SAWデバイス作製に向けた(100)Si上へのκ-Ga2O3薄膜形成及び評価」第21回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学成就館（京都）, 2024/11, 28p-P07.
7. 西中浩之、「ミストCVDによる酸化ガリウムの結晶多形制御」(招待講演)　JACI　電子情報技術部会次世代エレクトロニクス分科会講演会, オンライン，2024/11.
8. 渡邉啓佑，西中浩之、「様々な前駆体組成比によるCs-Cu-I系のマイクロロッド単結晶形成と物性評価」　第53回結晶成長国内会議，工学院大学（東京），2024/11，19a-P11．
9. 安井弦，三宅裕樹，西中浩之、「ミストCVDを用いた(-201)β-Ga2 O3 基板上のNiO薄膜ヘテロエピタキシャル成長」　第53回結晶成長国内会議，工学院大学（東京），2024/11，18a-P14．
10. 鐘ケ江一孝，幡山英仁，西中浩之、「ホモエピタキシャル成長 n 型β-酸化ガリウム層中の点欠陥評価」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会, 京都大学（京都），2024/11, 5.
11. 加納大成、西中浩之、「ミストCVDによる合成雲母及び石英基板上へのNドープVO2の形成と相転移評価」　応用物理学会関西支部2024年度第2回講演会, 大阪工業大学（大阪），2024/11, P-12.
12. 島添和樹，西中浩之、「LiNbO3 Substrates for Growth of Corundum Structured Oxides」The 43th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2024/10, Th2-3.
13. 渡邉啓佑，西中浩之、「Deposition and Properties of organic-inorganic hybrid (TMS)3Cu2I5 thin film with various precursor ratio」The 43th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2024/10, Th1-18.
14. 加納大成，西中浩之、「Characterization of N-doped VO2 thin films grown on quartz substrates using SnO2 buffer layer for smart windows by mist CVD」The 43th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2024/10, We2-12.
15. 吾妻 正道、池田 守、宮本 翼、西中 浩之、「CeRAMに向けたミストCVDによる炭素ドープHfOx薄膜のモット転位スイッチング」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 20p-B3-12.
16. 加納大成、西中 浩之、「ミストCVDによるスマートウインドウに向けた石英基板上へのNドープVO2薄膜の形成及び物性評価」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 20p-B3-8.
17. 池田 守、吾妻 正道、宮本 翼、西中 浩之、「CeRAM応用に向けたNiO薄膜のミストCVD成膜と室温・高温におけるモット転移現象の電気特性評価」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 20p-B3-4.
18. 島添 和樹、西中 浩之、「LiNbO3基板と格子整合可能なα-(In, Fe)2O3とα-(In, Ga)2O3の薄膜成長」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 20p-A22-2.
19. 宮戸 祐治、大西 晃佑、山田 啓文、西中 浩之、「ε-GaFeO3基板上κ-Ga2O3エピタキシャル薄膜の圧電応答力顕微鏡測定」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 19p-P05-11.
20. 安井 弦、三宅 裕樹、西中 浩之、「ミストCVD法による（-201）β-Ga2O3上のNiO薄膜成長及び評価」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 18p-A22-7.
21. 保坂 祥馬、三宅 裕樹、西中 浩之、「ミストCVDによるSiドープβ-(AlxGa1-x)2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 18p-A22-6.
22. 近藤 良、島添 和樹、西中 浩之、「ミストCVDによるrh-ITO上への(Ga, Fe)2O3の形成と光学的評価」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 18p-A22-6.
23. 渡邉 啓佑、西中 浩之、「ミストデポジションによる有機無機ハイブリッド(TMS)3Cu2I5の薄膜形成と光学特性評価」　第85回応用物理学会秋季学術講演会, 朱鷺メッセ（新潟），2024/9, 18a-B1-4.
24. 上田 修、西中 浩之、池永 訓昭、蓮池 紀幸、吉本 昌広、「ミストCVD成長したκ-(InxGa1-x)2O3薄膜中の欠陥のTEM評価」　日本顕微鏡学会第80回学術講演会, 幕張メッセ（千葉），2024/6, 3pmH_M-1-10.
25. 池田 守、吾妻 正道、宮本 翼、西中 浩之、「モット転移を用いたCeRAMに向けたミストCVDによるNiO薄膜形成と電流電圧特性評価」　応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会, 京都大学（京都），2024/5, P-10.
26. Masamichi Azuma、Mamoru Ikeda、Tsubasa Miyamoto、Hiroyuki Nishinaka、「Atmospheric Mist CVD Growth of C Doped HfO Thin Films Exhibiting CeRAM Switching」　応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会, 京都大学（京都），2024/5, P-16.
27. 今井 虹甫、渡邉 啓佑、鐘ケ江 一孝、西中 浩之、「ミストデポジション法によるCs-Cu-I系発光材料の薄膜形成と物性評価」　応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会, 京都大学（京都），2024/5, P-21.
28. 渡邉 啓佑、西中 浩之、「貧溶媒アシスト結晶化法によるCs-Cu-I系のマイクロロッド単結晶成長と物性評価」　応用物理学会関西支部2024年度第1回講演会, 京都大学（京都），2024/5, P-22.
29. 清家一朗、保坂祥馬、鐘ケ江一孝、西中浩之、「ミストCVD法を用いたβ-Ga2O3へのFドープ」　第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール（高知），2024/5, Th-P13.
30. 西 泰佑、池之上卓己、島添和樹、鐘ケ江一孝、西中浩之、「深紫外LEDの応用に向けたSiドープhex-InGaO3の結晶成長及び特性評価」　第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール（高知），2024/5, Th-P24.
31. 鐘ケ江一孝、堀田昌宏、西中浩之、木本恒暢、須田 淳、「ワイドバンドギャップ半導体の点欠陥の定量」(招待講演)　第16回ナノ構造・エピタキシャル成長講演会, 高知県立県民文化ホール（高知），2024/5, Fr-I01.
32. 谷口陽子，西中浩之，島添和樹，川原村敏幸，鐘ケ江一孝，吉本昌広、「可視光応答型光触媒応用に向けた Bi 添加In2O3 薄膜およびナノロッドの作製とその光学特性評価」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 鳥取大学（鳥取），2024/1, T-13.
33. 上田遼，長谷川将，西中浩之，吉本昌広、「ラマン分光法によるp 型GaAsBi の正孔移動度算出」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 鳥取大学（鳥取），2024/1, T-12.
34. 渡邉啓佑，西中浩之，吉本昌広、「発光デバイス応用に向けたCs-Cu-I 系のマイクロロッド成長と物性評価」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 鳥取大学（鳥取），2024/1, T-7.
35. 加納大成，新田悠汰，西中浩之，吉本昌広、「熱の出入りを制御可能なスマートウインドウに向けたN ドープVO2 薄膜に関する研究」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, 鳥取大学（鳥取），2024/1, T-6.

2023年

1. 近藤良，島添和樹， 西中浩之，吉本昌広、「α-(Ga,Fe)2O3光電極のミストCVD成長とその評価」 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, ウインクあいち(愛知), 2023/12, 06a-P14.
2. 島添和樹， 西中浩之，吉本昌広、「コランダム構造酸化物ヘテロ構造のミストCVD成長とデバイス応用」 第52回結晶成長国内会議（JCCG-52）, ウインクあいち(愛知), 2023/12, 06a-P13.
3. 加藤貴大, 西中浩之, 島添和樹，吉本昌広、「ミスト CVD 法によるビックスバイト構造 δ-Ga2O3 薄膜を用いた紫外光検出器」 第20回薄膜材料デバイス研究会, 龍谷大学響都ホール(京都), 2023/11, 10p-P04.
4. 加納大成，新田悠汰，西中浩之, 吉本昌広、「Investigation of Mist CVD-Grown N-Doped VO2 Thin Films for Smart Window Applications」The 42th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2023/10, Th3-6.
5. 島添和樹，西中浩之, 吉本昌広、「Realizing Vertical Corundum-Structured Oxide Devices with Rhombohedral Indium Tin Oxide Bottom Electrode」The 42th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2023/10, We2-7.
6. 保坂祥馬，西中浩之，小川典真，三宅裕樹，吉本昌広、 「ミストCVDによるSiドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長」　第84回応用物理学会秋季学術講演会，応用物理学会, 熊本城ホール，2023/9.
7. 加納大成，新田悠汰，西中浩之，吉本昌広、 「ミスト CVD によるスマートウインドウやサーモクロミック応用に向けたNドープVO2薄膜の形成及び物性評価」　第84回応用物理学会秋季学術講演会，応用物理学会, 熊本城ホール，2023/9.
8. 田中将，西中浩之，吉本昌広，野田実、 「ミスト CVD 法 Hf0.5Zr0.5O2 強誘電体薄膜の電気的特性の改善」　第84回応用物理学会秋季学術講演会，応用物理学会, 熊本城ホール，2023/9.
9. 西中浩之、「酸化ガリウム(Ga2O3)の結晶成長・薄膜形成とデバイス応用」(依頼講演)　サイエンス&テクノロジー社, オンライン，2023/7.
10. 島添和樹, 西中浩之，谷口陽子，鐘ケ江一孝，吉本昌広、「配向制御した酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価」日本化学会 第103春季年会, 日本化学会, 東京理科大学, 2023/3.
11. 国橋要司，篠原康，長谷川将，西中浩之，吉本昌広，小栗克弥，後藤秀樹，好田誠，新田淳作，眞田治樹、「GaAsBiエピタキシャル薄膜におけるスピン軌道相互作用パラメータの定量評価」第70回応用物理学会春季，学術講演会, 応用物理学会, 上智大学, 2023/3.
12. 上田修, 西中浩之，池永訓昭, 蓮池紀幸，吉本昌広、「(001) FZ成長ε-GaFeO3基板上にミストCVD成長したκ-(InxGa1-x)2O3薄膜中の欠陥のTEM評価」第70回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 上智大学, 2023/3.
13. 上田遼, 西中浩之，永岡達司, 三宅裕樹，吉本昌広、「ミストCVD法による(001) β-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長」第70回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 上智大学, 2023/3.
14. 島添和樹, 西中浩之，加藤貴大, 谷口陽子，鐘ケ江一孝，吉本昌広、「α-Ga2O3/rh-ITO構造のヘテロエピタキシャル成長と深紫外フォトディテクタの試作」第70回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 上智大学, 2023/3.
15. 西中浩之、「Ga2O3の結晶成長とその特性評価：HEMT応用が期待される新規相のκ-Ga2O3」(招待講演)　（独）日本学術振興会第R032委員会 第11 回研究会「パワー関連半導体の将来展望」, ハイブリッド（東京大学），2023/3.

2022年

1. 小倉有莉, 新田悠汰, 池之上卓己, 鐘ケ江一孝 ,西中浩之, 吉本 昌広、「ミストCVD法によるYSZ基板上アンドープおよびSnドープhexagonal-InGaO3混晶薄膜のエピタキシャル成長」 第32回日本MRS年次大会, MRS-J, 産業貿易センタービル（横浜）, 2022/11, P-O6-014.
2. 金子真大，西中浩之，鐘ケ江一孝，吉本昌広、「ミストCVD法を用いた(010)β-Ga2O3基板上へのβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3薄膜の成長」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会, 2022年度第1回ナノ材料部門委員会第1回研究会, 京都大学， 2022/11.
3. 西中浩之「酸化ガリウムの薄膜形成技術とその開発動向」(招待講演(チュートリアル))　薄膜材料デバイス研究会第19回研究集会，龍谷大学響都ホール(京都), 2022/11.
4. 谷口陽子, 西中浩之，島添和樹，川原村敏幸，鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「Visible-light responsive photocatalyst of Bismuth incorporation into In2O3 thin films by mist CVD」The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022/10.
5. 上田遼, 長谷川将，鐘ケ江一孝, 西中浩之，吉本昌広、「Raman spectroscopic determination of hole mobility in p-type GaAsBi」The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022/10.
6. 加藤貴大, 西中浩之，島添和樹，鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「Epitaxial growth of bixbyite structured delta-Ga2O3 thin films using the same structured beta-Fe2O3 buffer layers by Mist CVD」The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022/10.
7. 青木竜哉, 長谷川将，川田大夢，鐘ケ江一孝, 西中浩之，吉本昌広、「Fabrication of GaNAsBi/GaAs multi-quantum-well light-emitting-diodes」The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022/10.
8. 金子真大, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「Epitaxial growth of β-(AlxGa1-x)2O3 thin films on (010) β-Ga2O3 substrates by mist CVD」The 41th Electronic Materials Symposium, EMS, 奈良, 2022/10.
9. 渡邉啓佑, 西岡悠哉, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「Cu系発光材料Cs3Cu2I5薄膜のMn2+ドーピングによる光学的特性制御」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
10. 小川典真, 西中浩之, 島添和樹, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「ミストCVD法によるGeドープβ-Ga2O3薄膜のホモエピタキシャル成長」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
11. 加藤貴大, 西中浩之, 島添和樹, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「ミストCVD法によるβ-Fe2O3バッファ層を用いたδ-Ga2O3のエピタキシャル成長」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
12. 金子真大, 西中浩之, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「ミストCVD法によるβ-(AlxGa1-x)2O3/β-(InxGa1-x)2O3/β-Ga2O3薄膜のヘテロエピタキシャル成長」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
13. 長谷川将, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 西中浩之, 吉本昌広、「ラマン分光法によるGaAs/GaAsBi構造中の光励起キャリアの特性評価」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
14. 西中浩之, 上田修, 迫秀樹,　池永訓昭, 宮戸祐治, 蓮池紀幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「ε-GaFeO3基板を用いた単一ドメインκ-Ga2O3の成長」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
15. 島添和樹, 西中浩之, 谷口陽子, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「酸化鉄光電極のミストCVD成長とその評価」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
16. 谷口陽子, 島添和樹, 西中浩之, 川原村敏幸, 鐘ケ江一孝, 吉本昌広、「Bi添加In2O3薄膜による可視光応答型光触媒反応の評価」　第83回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 東北大学, 2022/9.
17. 西中浩之、「ミストCVD法の基礎と酸化ガリウムのパワーデバイスへ向けた結晶成長・薄膜形成技術」(依頼講演)　R&D支援センター社, オンライン，2022/8.
18. 島添 和樹，西中 浩之，谷口 陽子，鐘ケ江一孝、吉本 昌広、 「コランダム構造スズ添加酸化インジウムを下部電極に用いた酸化鉄人工光合成向け光電極の作製」　第41回光がかかわる触媒化学シンポジウム，オンライン, 2022/7.
19. 島添和樹，藤原悠希，田中将，西中浩之，吉本 昌広，野田実、 「コランダム構造を有するrh-ITO上へのHfxZr1-xO2薄膜のミストCVD成長とその評価」　第39回強誘電体会議，京都工芸繊維大学, 2022/6.
20. 藤原悠希，田中将，西中浩之，吉本 昌広，野田実、 「ミストCVD法によるHfxZr1-xO2強誘電体薄膜の熱処理条件および成長基盤依存性の検討」　第39回強誘電体会議，京都工芸繊維大学, 2022/6.
21. 島添 和樹，西中 浩之，谷口 陽子，吉本 昌広、 「ありふれた酸化鉄を用いた人工光合成系実現に向けた光電極のミストCVD成長」　応用物理学会関西支部　2022年度第1回講演会，大阪大学吹田キャンパス, 2022/5.
22. 新田悠汰, 西中浩之, 武田実, 吉本昌広、「フレキシブルな合成雲母基板上へのVO2薄膜の配向成長および曲げ応力による金属絶縁体転移温度の変調」　第69回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会,青山学院大学, 2022/3.
23. 長谷川将, 蓮池紀幸, 西中浩之, 吉本昌広、「Ga(N)As(Bi)混晶における光励起されたキャリアがラマンスペクトルに及ぼす影響」　第69回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会,青山学院大学, 2022/3.
24. 藤原悠希, 田中将, 西中浩之, 吉本昌広, 野田実、「ミストCVD HfxZr1-xO2強誘電体薄膜のRTA条件・成長基板依存性」　第69回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会,青山学院大学, 2022/3.
25. 西中浩之、「酸化ガリウム(Ga2O3)の結晶成長・薄膜形成とデバイス応用」(依頼講演)　サイエンス&テクノロジー社, オンライン，2022/3.
26. 西中浩之、「ミストCVD法によるパワー半導体応用に向けたGa2O3の形成技術」(招待講演)　 FIoTコンソーシアム令和３年度第３回機能性フレキシブルとインクジェット技術分科会, オンライン，2022/2.
27. 川田大夢，長谷川将，西中浩之，吉本昌広、「ヘテロ界面へのBi組成傾斜層挿入によるGaAs/GaAsBi PINダイオードの光電特性改善」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第3回研究会, オンライン（広島大学）， 2022/1.

2021年

1. 谷口 陽子，島添 和樹，西中 浩之，吉本 昌広、 「Bi添加In2O3の光学的特性評価」　第31回日本MRS年次大会，日本MRS, オンライン（パシフィコ横浜ノース）, 2021/12.
2. 島添 和樹，西中 浩之，石野 貴之，渡邉　啓佑，吉本 昌広、 「ミストCVD法によるスズ添加酸化インジウム及びフッ素添加酸化スズ薄膜のエピタキシャル成長」　第31回日本MRS年次大会，日本MRS, オンライン（パシフィコ横浜ノース）, 2021/12.
3. 石野 貴之，島添 和樹，西中 浩之，吉本 昌広、 「ミストCVD法によるα-Al2O3基板上のrh-IMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価」　第31回日本MRS年次大会，日本MRS, オンライン（パシフィコ横浜ノース）, 2021/12.
4. 西中浩之、「ミストCVD法でのκ相およびγ相Ga2O3結晶の成長と評価」(招待講演)　（独）日本学術振興会「結晶加工と評価技術」第145 委員会 第173 回研究会, オンライン，2021/12.
5. 西中浩之、「ミストCVD法による省エネパワーデバイスGa2O3の形成技術」(招待講演)　関西広域連合グリーン・イノベーション研究成果企業化フォーラム, 大阪，2021/11.
6. 小倉有莉，池之上卓己，新田悠汰，西中浩之，吉本昌広、「ミストCVD法による深紫外透明導電膜への応用に向けた（InxGa1-x)2O3混晶薄膜の成長」　材料学会半導体エレクロトニクス部門委員会第2回研究会, オンライン（京都工芸繊維大学）， 2021/11.
7. 西岡 悠哉, 渡邉 啓佑, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「ミストデポジション法を用いたCs3Cu2I5の薄膜形成」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
8. 渡邉 啓佑, 西岡 悠哉, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「ミストデポジション法による混晶系発光材料Cs3Cu2(I1-xBrx)5 (0≦x≦1)の薄膜成長と光学的特性」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
9. 石野 貴之, 島添 和樹, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「ミストCVD法を用いたYSZ(111)面基板上のIMO薄膜のエピタキシャル成長とその評価」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
10. 金子 真大, 堀江 竜斗, 梶田　優気, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「ミスト CVD 法によるβ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜成長」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
11. 島添 和樹, 藤原 悠希, 新田 悠汰, 西中 浩之, 吉本 昌広, 野田 実、 「ミストCVD法を用いたrh-ITOエピタキシャル薄膜上へのHfxZr1-xO2薄膜成長」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
12. 長谷川 将, Manuel Fregolent, Matteo Buffolo, Carlo Santi, Gaudenzio Meneghesso, Enrico Zanoni, 松村 惇太, 西中 浩之, Matteo Meneghini, 吉本 昌広、 「DLTS 法による n-GaAsBi 中の深い準位の評価」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
13. 長谷川 将, 川田 大夢, 青木 竜哉, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「GaNAsBi/GaAs多重量子井戸構造のMBE成長」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
14. 小倉 有莉, 新田 悠汰, 池之上 卓己, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「深紫外透明導電膜への応用に向けた(InxGa1－x)2O3混晶薄膜の成長とその評価」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
15. 梶田　優気, 西中 浩之, 吉本 昌広、 「ミストCVD法を用いたβ-(InxGa1-x)2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
16. 藤原 悠希, 西中 浩之, 吉本 昌広, 野田 実、 「製膜後RTA処理したミストCVD HfxZr1-xO2薄膜の各特性」　第82回応用物理学会秋季学術講演会 応用物理学会, オンライン, 2021/9.
17. 藤原 悠希, 大西 潤哉, 西中 浩之, 吉本 昌広, 野田 実、 「ミストCVD法による(HfxZr1-x)O2薄膜特性の製膜後RTA依存性」　第38回強誘電体応用会議, オンライン, 2021/6.
18. 關 裕介 , 岡田 有史, 梶田 優気, 西中 浩之, Ferreyra Romualdo A., 上田 大助, 角野 広平、 「β-Ga2O3(-201)表面におけるNiOエピタキシャル成長初期過程のSPM観察」　第68回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 2021/3.
19. 藤原 悠希, 大西 潤哉, 西中 浩之, 吉本 昌広, 野田 実、 「ミストCVD法HfxZr1-xO2薄膜特性の製膜後RTA依存性」　第68回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, オンライン, 2021/3.
20. 西中浩之、「ミストCVD法によるGa2O3のエピタキシャル成長技術」(招待講演)　日本板硝子材料工学助成会　第38回無機材料に関する最近の研究成果発表会, オンライン, 2021/1.

2020年

1. 西中浩之、「Ga2O3 の中間準位を利用した p 型伝導に向けた検討」(招待講演)　日本学術振興会　結晶加工と評価技術　第145委員会　第169回研究会, オンライン, 2020/12.
2. 西中浩之、「HEMT応用に向けたκ-Ga2O3の結晶成長技術」(招待講演)　電子情報通信学会 SDM/EID/ITE-IDY 研究会, オンライン, 2020/12.
3. 西中浩之、「ミストCVDによるκ-酸化ガリウムのエピタキシャル成長」(招待講演)　第71回CVD研究会, オンライン（京都大学）, 2020/10.
4. 新田悠汰, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法を用いたフレキシブルなZnO薄膜のエピタキシャル成長および光学的特性の評価」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
5. 藤原悠希, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、野田実、「ミストCVD法によるHf1-xZrxO2薄膜の強誘電体シナプス素子応用に関する基礎的検討」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
6. 梶田優気, 西中浩之, 新田 悠汰, 吉本昌広、「ミストCVD法を用いて(-201) β-Ga2O3基板上に成長したκ-Ga2O3薄膜の構造解析」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
7. 川田 大夢, 長谷川 将, 松村 淳太, 西中浩之, 吉本昌広、「四元混晶GaNAsBi太陽電池の製作と熱処理による特性改善」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
8. 島添 和樹, 西中浩之, 新田 悠汰, 伊藤 雄祐, 吉本昌広、「ミストCVD法によるLiTaO3基板上へのバッファ層を用いないrh-ITOエピタキシャル薄膜の成長とその評価」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
9. 堀江 竜斗, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜の界面の結晶構造解析」　第81回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, オンライン（同志社大学）, 2020/9.
10. 川田 大夢, 長谷川 将, 松村 淳太, 西中浩之, 吉本昌広、「GaAs/GaNAsBi 太陽電池の製作と熱処理による特性改善」　日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会令和2年度第1回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, オンライン（大阪大学）, 2020/8.
11. 島添 和樹, 西中浩之, 新田 悠汰, 伊藤 雄祐, 吉本昌広、「酸化鉄を用いた準安定酸化物半導体の結晶相制御」　日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会令和2年度第1回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, オンライン（大阪大学）, 2020/8.
12. 伊藤雄祐, 藤原悠希, 西中浩之, 田原大祐, 島添和樹, 新田悠汰, 野田実, 吉本昌広、「ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga2O3薄膜成長と電気的特性評価」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
13. 新田悠汰, 西中浩之, 島添和樹, 田原大祐, 吉本昌広、「ミストCVD法を用いたフレキシブルなワイドギャップ酸化物半導体のエピタキシャル成長」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
14. 梶田優気, 西中浩之, 田原大祐, 新田悠汰, 吉本昌広、「ミストCVD法によるβ-Ga2O3(-201)基板上へのε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
15. 島添和樹, 西中浩之, 田原大祐, 新田悠汰, 吉本昌広、「ミストCVD法による準安定相rh-ITO薄膜のエピタキシャル成長と評価」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
16. 藤原悠希, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、野田実, 「ミスト CVD 法による HfxZr1-xO2薄膜の作製とその電気的特性」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
17. 堀江竜斗, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるγ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜成長」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.
18. 渡邉 啓佑, 西中浩之, 吉本昌広、「有害元素フリーの発光材料Cs3Cu2I5及びCsCu2I3の成膜と結晶成長」　第67回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2020/3.

2019年

1. 西中浩之, 「ミストを用いた材料形成技術」　最先端技術でものを観る(市民講座　先端技術講座）, 東京, 2019/12.
2. 新田 悠汰, 西中浩之, 田原大祐, 吉本昌広、「曲げられる準安定Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」　応用物理学会関西支部　2019年度　第2回講演会, 応用物理学会関西支部, 大阪, 2019/11.
3. 永岡達司, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法を用いたβ-Ga2O3ホモエピタキシャル成長とZnドーピング」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
4. 島添和樹, 西中浩之, 田原大祐, 新田 悠汰, 吉本昌広、「LiNbO3,LiTaO3基板上のα, ε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
5. 田原大祐, 西中浩之, 新田悠汰, 長谷川将, 吉本昌広、「ミストCVD法によるGa2O3薄膜成長におけるビスマス添加の効果」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
6. 長谷川将, 松村淳太, 岳山恭平, 西中浩之, 吉本昌広、「吸収および発光特性によるGaAsBiテイル準位の評価と成長温度の影響」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
7. 国橋要司, 田中祐輔, 眞田治樹, 好田誠, 新田 淳作, 長谷川将, 西中浩之, 吉本昌広、後藤秀樹「GaAsBi薄膜中の電子におけるKerr回転スペクトロスコピー」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
8. 伊藤雄祐, 田原大祐, 新田 悠汰, 西中浩之, 吉本昌広、「GaNテンプレート基板上の自然酸化膜処理が及ぼすミストCVD法によるε-Ga2O3薄膜成長への影響」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
9. 新田 悠汰, 西中浩之, 田原大祐, 島添和樹, 伊藤雄祐, 吉本昌広、「合成雲母上へのバッファ層の挿入による曲げられるα-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第80回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 北海道, 2019/9.
10. 田原大祐, 西中浩之, 野田実, 佐藤翔太, 川原村敏幸,　吉本昌広、「ミストCVD法によるn+-Si(100)基板上への準安定相強誘電体 HfO2薄膜の作製」　第36回強誘電体応用会議, 京都, 2019/5.
11. 西中浩之, 田原大祐, 新田 悠汰, 島添和樹, 野田実,　吉本昌広、「新しい強誘電体ε-Ga2O3のエピタキシャル成長技術」　第36回強誘電体応用会議, 京都, 2019/5.
12. 島添和樹, 西中浩之, 吉本昌広、「α-Fe2O3バッファー層を用いたr面α-Al2O3基板上の準安定相rh-ITOエピタキシャル薄膜の成長と評価」　第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 岡山, 2019/3.
13. 田原大祐, 西中浩之, 新田 悠汰, 吉本昌広、「ミストCVD法によるα-(InxAl1-x)2O3の混晶薄膜の結晶成長」　第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 岡山, 2019/3.
14. 新田 悠汰, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長」　第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 岡山, 2019/3.
15. 田原大祐, 西中浩之, 野田実,　佐藤翔太, 川原村敏幸, 吉本昌広、「ミストCVD法によるn+-Si(100)基板上への強誘電体HfO2薄膜の作製とその電気特性評価」　第66回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 岡山, 2019/3.

2018年

1. 新田 悠汰, 西中浩之, 田原 大祐, 森本 尚太, 吉本昌広、「NiOバッファ層を用いたc面サファイア基板上へのε-Ga2O3薄膜の単相成長」　日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第1回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 奈良, 2018/7.
2. 長谷川 将, 岳山 恭平, 西中浩之, 吉本昌広、「PEDOT:PSS/GaAsBi太陽電池の製作と評価」　日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成30年度第1回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 奈良, 2018/7.
3. 田原大祐, 西中浩之, 野田実, 吉本昌広、「超ワイドバンドギャップHEMT応用に向けたε-Ga2O3薄膜の結晶成長と電気的特性評価」　応用物理学会関西支部平成30年度第1回講演会, 応用物理学会関西支部, 兵庫, 2018/5.
4. 田原大祐, 西中浩之, 森本 尚太, 吉本昌広、「ミストCVD法によるAlNテンプレート基板上ε-(AlxGa1-x)2O3の結晶成長」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
5. 新田 悠汰, 田原 大祐, 森本 尚太, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるc面サファイア基板上へのε-Ga2O3薄膜成長におけるNiOバッファ層の効果」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
6. 田原大祐, 西中浩之, 野田実, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-Ga2O3薄膜の結晶成長とその電気的特性評価」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
7. 森本 尚太, 駒井 宏基, 西中浩之, 吉本昌広、「Fドープによるα-Ga2O3薄膜の低抵抗化」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
8. 宮内 信宇, 中村 昌幸, 小林 貴之, 西中浩之, 田原 大祐, 森本 尚太, 本山 慎一, 吉本昌広、「GaNテンプレート上ε-Ga2O3薄膜のドライエッチング」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
9. 奥村太一, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD 法によるフッ素添加SnO2 の単結晶薄膜成長」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
10. Pallavi Patil, Fumitaro Ishikawa, Satoshi Shimomura, Hiroyuki Nishinaka, and Masahiro Yoshimoto, " MBE growth of GaAsBi/GaAs on (100) and (411) GaAs Substrates"　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
11. 長谷川 将, 岳山 恭平, 鈴木 耕作, 西中浩之, 吉本昌広、「PEDOT:PSS/GaAs1-xBix有機無機ハイブリッド太陽電池の製作」　第65回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2018/3.
12. 奥村太一, 西中浩之, 吉本昌広、「c面サファイア基板上におけるフッ素添加SnO2の単結晶成長」 応用物理学会関西支部平成２９年度第３回講演会, 応用物理学会関西支部, 大阪, 2018/2.
13. 森本尚太, 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「GaNテンプレート表面がε-Ga2O3薄膜に及ぼす影響」 応用物理学会関西支部平成２９年度第３回講演会, 応用物理学会関西支部, 大阪, 2018/2.

2017年

1. 宮内 信宇, 田原 大祐, 森本 尚太, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-In2xGa2-2xO3混晶薄膜の成長」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 2017/9.
2. 森本 尚太, 田原 大祐, 宮内 信宇, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法による塩化物原料を用いたGaNテンプレート上へのε-Ga2O3薄膜成長」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 2017/9.
3. 岳山恭平, 鈴木耕作, 長谷川将, 西中浩之, 吉本昌広、「GaAs1-xBix フォトダイオードの分光感度特性」 第78回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 福岡, 2017/9.
4. 田原大祐, 西中浩之, 森本尚太, 宮内信宇, 吉本昌広、「ミストCVD法によるAlNテンプレート基板上ε-Ga2xGa2-2xO3の結晶成長」 第12回日本セラミックス協会関西支部　学術講演会, 京都, 2017/7.
5. 岳山恭平, 鈴木耕作, 長谷川将, 西中浩之, 吉本昌広、「GaAsBi フォトダイオードの分光感度特性」 平成29年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 和歌山, 2017/7.
6. 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-Ga2O3成長のストイキオメトリー制御」 第64回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 神奈川, 2017/3.
7. 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-Ga2O3のストイキオメトリー制御」 平成28年度半導体エレクトロニクス部門委員会第1回講演会・見学会講演プログラム, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 鳥取, 2017/1.

2016年

1. 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「パワーデバイス用途に向けたε-Ga2O3結晶成長技術」 高知工科大学ナノテク研シンポジウム2016, 高知, 2016/11.
2. 田原大祐, 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法による六方晶基板上ε-Ga2O3のエピタキシャル成長」 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成28年度第2回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 京都, 2016/11.
3. 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-Ga2O3エピタキシャル成長」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 2016/9.
4. 芝田悠将, 来馬英樹, 吉岡諒, 西中浩之, 吉本昌広、「高含有率GaAs1-xBixの特異なPL特性」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 2016/9.
5. 来馬英樹, 冬木琢真, 吉岡諒, 芝田悠将, 西中浩之, 吉本昌広、「レーザー発振を示す半金属半導体混晶GaAs1-xBixの発光特性」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門平成27年度第1回講演会・見学会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 福井,　2016/1.
6. 西中浩之, 吉本昌広、「ミストを用いた有機無機ペロブスカイト材料の形成技術」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門平成27年度第1回講演会・見学会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 福井,　2016/1.
7. 西中浩之, 吉本昌広,「ミストCVD法による菱面体晶ITOのヘテロエピタキシャル成長」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2016/3.

2015年

1. 西中浩之, 吉本昌広、「古くて新しい準安定相rh-ITOエピタキシャル成長」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第2回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 京都, 2015/11.
2. 西中浩之, 吉本昌広、「準安定相のrh-ITOエピタキシャル成長」, 応用物理学会関西支部平成２７年度第１回講演会, 応用物理学会関西支部, 兵庫,　2015/6.
3. 木下 博之、七種 宏樹、池田 潤也、都筑 一夫、吉本 昌広、「SiCの洗浄技術について（招待講演）」第７６回応用物理学会秋季学術講演会　13p-1B-4.
4. 吉本昌広、「ビスマス系III-V族半導体の創成とレーザダイオードへの応用」(招待講演)、平成26年度第1回講演会見学会、東広島市、2015年1月.