ドライエッチング装置


装置名:Siディープエッチング装置

  •   製品名:RIE-400iPB
  •   メーカー:SAMCO

<装置の概要>

  • MEMS、電子部品用途に求められるボッシュプロセスと呼ばれるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した高速シリコンディープエッチング装置です
  • ロードロック方式で、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用しています。

<装置の仕様>

基板ステージ4インチまで
ICP RF電源13.56MHz
Max.1kW
オートマッチング
BIAS RF電源13.56MHz
Max.300W
オートマッチング
排気系ターボ分子ポンプ
DRP

装置名:化合物半導体エッチング装置

  •   製品名:RIE-101iPH
  •   メーカー:SAMCO

<装置の概要>

  • Siおよび各種金属薄膜、化合物半導体などの高速で高精度な異方性エッチングができます。
  • ロードロック方式で、放電形式に誘導結合方式(Inductively Coupled Plasma)を採用しています。


<装置の仕様>

基板ステージ4インチまで
ICP RF電源13.56MHz
Max.1kW
オートマッチング
BIAS RF電源13.56MHz
Max.300W
オートマッチング
排気系ターボ分子ポンプ
RP

装置名:酸素プラズマ処理装置

  •   製品名:PR200
  •   メーカー:ヤマト科学

<装置の概要>

  • 使用ガスは酸素ガスのみで主に試料の表面改質や有機物の洗浄などに利用されています。
  • 出力は200Wまでの利用できます。酸素ガス流量は最大300ml/minです。

<装置の仕様>

チャンバーサイズ内径Φ100mm
×H500mm
RF電源13.56MHz
Max.200W
自動マッチング
排気系ロータリーポンプ


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