利用方法

利用の流れ

【お詫び】装置によっては、オペトレができないものがあり、装置利用をしていただけない場合があります。技術補助および技術代行も同様です。詳しくは事前相談の際にご確認ください。

・利用を検討される場合、事前相談申込書に、記載できる範囲で結構ですので利用検討内容を記入し、
　電子メール添付で事務局（ crkanri@kit.ac.jp ）に送付してください。
・必要に応じて電子メール、電話等により、事務局が事前相談申込書への記載内容について確認させていただきます.

・装置担当者が必要に応じて事前相談申込書の内容や使用条件等について利用者に確認し、利用可否判断を行います。
・利用可否の結果を事務局から、利用者に連絡します。

・利用審査の結果、利用可能となった場合に、相談や審査を反映した利用申請書を提出していただきます。
・利用申請書は利用要項の通り、原則として利用希望日の3週間前までに提出してください。
・利用申請書の内容に基づき、事務局が機器予約を行います。（予約は1時間単位です。）

・利用料金表に基づき、利用申請書の内容に沿った利用料を請求させていただきます。
・利用者は利用前にお支払いいただきます。

・左の各項目は、以下に説明があります。

・事前講習は初回のみ行い、以下の2項目から成っています。
　１．クリーンルームの利用ルール、安全教育　（無料）
　２．オペレーション・トレーニング　（有料）　利用者の知識・経験等により所要時間が変わります。

・利用者が自ら装置の操作等を行うことを前提とします。(有料）

　

・オペレーション・トレーニング終了後、利用者が操作等を行うときに、希望があれば、装置担当者からの
　補助、指導を受けられます。 (有料）

　
・利用者に代わって、装置担当者等が共用装置を用いて、利用者が希望する加工や評価を行います。(有料）
・利用者の希望に沿うように代行いたしますが、結果を保証するものではありません。

　
・利用申請書に対する技術代行結果を報告いたします。（技術代行報告書）

機器分類	機器番号	機器名	利用料（円／時間）
フォトリソグラフィー装置	1-1	ＭＩＫＡＳＡ　アライナ	2,000
	1-2	両面マスクアライナ	2,500
	1-3	有機ドラフト	3,300
	1-4	電子ビーム描画装置	100,000（1日）※3
成膜装置	2-1	ＲＦスパッタ装置【停止中】	2,000
	2-2	電子ビーム蒸着装置	2,300
	2-3	実験用蒸着装置	1,600
	2-4	ＴＥＯＳ－ＣＶＤ装置	6,400
	2-5	卓上スパッタ装置	2,000
ドライエッチング装置	3-1	Siディープ　エッチング装置	20,700
	3-2	化合物半導体エッチング装置	27,500
	3-3	酸素プラズマ処理装置	1,900
ウエットエッチング・洗浄装置	4-1	酸ドラフト	3,300
熱処理装置	5-1	急速アニール炉	2,200
評価装置	6-1	高分解能走査電子顕微鏡	4,100
	6-2	段差膜厚計	2,100
	6-3	レーザー顕微鏡	3,100
	6-4	卓上SEM（EDX)	2,000
分析装置	7-1	X線光電子分光装置	4,300
分析装置	7-2	高精度X線回析装置	4,700

※備考

上記表中の金額は、1時間単位の金額であり、これに利用時間数を乗じた金額を合計の利用料として請求します。
(利用時間は装置使用時間と技術代行の場合は事前検討に要する時間等を合計した時間とします。）
全てにおいて、1時間未満の利用及び1時間を超える1時間未満の端数については、それぞれ1時間の利用時間として、利用料を算出するものとします。
技術代行においても、装置使用料を負担いただきます。
電子ビーム描画装置のみ装置使用料は原則1日単位（9:00－17:00）の予約となります。また設置場所はクリーンルームではなく7号館1階にあり、上記クリーンルーム入室料はかかりません。