[[[論文・プロシーディングス等>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#t5cbb31f]] | [[学会発表等>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#sc21dfa0]]([[国際会議>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#z04a482d]]/[[国内学会>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#n7810f03]]) | [[解説>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#y1e754ed]]| [[著書>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#abba749b]] | [[コラム>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B8%A6%B5%E6%B6%C8%C0%D3#jc154b46]] ]

**''論文・プロシーディングス等'' [#t5cbb31f]

　　''2007年〜2016年一覧'' (2000年〜2006年は[[こちら>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%C8%AF%C9%BD%CF%C0%CA%B8%C5%F9%A1%CA2000%C7%AF%B0%CA%B9%DF%A1%CB]])

+H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, "Solution-based mist CVD technique for CH3NH3Pb(Br1-xClx)3 inorganic-organic perovskites", [[Jpn. J. Appl. Phys. 55 (2016) 100308 >http://dx.doi.org/10.7567/JJAP.55.100308]].
+H. Nishinaka, D. Tahara, and M. Yoshimoto, "Heteroepitaxial growth of epsilon-Ga2O3 thin films on cubic MgO (111) and YSZ (111) substrates by mist chemical vapor deposition" Jpn. J. Appl. Phys. (2016)in press.
+W. S. Yoo, K. Kang, G. Murai, M. Yoshimoto, "Temperature dependence of photoluminescence spectra from crystalline silicon”,  [[ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P456-P461 >http://dx.doi.org/doi:10.1149/2.0251512jss]]
+W.S. Yoo, M. Yoshimoto, A. Sagara, S.Shibata, “Room temperature Photoluminescence characterization of low dose As+ implanted Si after rapid thermal annealing” [[ECS Solid State Lett. 4 (2015) P51-P54 >http://dx.doi.org/doi:10.1149/2.0011508ssl]]
+W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan, “Characterization of hetero-epitaxial Ge films on Si using multiwavelength micro-raman spectroscopy” [[ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P9-P15	>http://dx.doi.org/doi:10.1149/2.0041502jss]]
+W.S. Yoo, H. Harima, M. Yoshimoto, “Polarized raman signals from Si wafers: Dependence of in-plane incident orientation of probing light” [[ECS J. Solid State Sci. Technol., 4 (2015) P356-P363 >http://dx.doi.org/doi:10.1149/2.0061509jss]]
+T. Fuyuki, K. Yoshida, R. Yoshioka, M. Yoshimoto, "Electrically pumped room-temperature operation of GaAs1-xBix laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength" [[Appl. Phys. Express 7 (2014) 082101(4 pages). >http://dx.doi.org/doi:10.7567/APEX.7.082101]]
+W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, H. Nishigaki, N. Hasuike, H.Harima, M. Yoshimoto, “Ultraviolet (UV) raman characterization of ultra- Shallow ion implanted silicon”, [[Proc. Int. Conf. Implantation Technol. 2014, INSPEC Accession Number:14702977 (4 pages) >http://dx.doi.org/doi:10.1109/IIT.2014.6940056]]	
+W.S. Yoo, K. Kang, T. Ueda, T. Ishigaki, , H. Nishigaki, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto, C.S. Tan, “Detection of Ge and Si intermixing in Ge/Si using multiwavelength micro-Raman spectroscopy” [[ECS Transactions 64	(2014) 79-88 >http://dx.doi.org/doi:10.1149/06406.0079ecst]]
+Y. Sasada, T. Kurumi, H. Shimizu, H. Kinoshita, M. Yoshimoto, "Junction formation via direct bonding of Si and 6H-SiC" [[Mater. Sci. Forum  778-780 (2014) 714-717 >http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.778-780.714]]
+冬木琢真、伊藤瑞記、角浩輔、吉本昌広「GaAs1-xBixおよびGaAs/GaAs1-xBixヘテロ界面における局在準位」[[材料　62巻11号 (2013)　672-678 >https://www.jstage.jst.go.jp/article/jsms/62/11/62_672/_article/-char/ja/]].
+W.S. Yoo, T. Ishigaki, T. Ueda, K. Kang, N. Hasuike, H. Harima, M. Yoshimoto,“Characterization of ion implanted silicon using UV Raman and multiwavelength photoluminescence for in-line dopant activation monitoring” [[Ext. Abst. 13th Int. Workshop on Junction Technology (IWJT) 2013, pp.41-44 >http://dx.doi.org/doi:10.1109/IWJT.2013.6644502]]
+Takuma Fuyuki, Ryo Yoshioka, Kenji Yoshida and Masahiro Yoshimoto, "Long-wavelength emission in photo-pumped GaAs1−xBix laser with low temperature dependence of lasing wavelength" [[Appl. Phys. Lett. 103 (2013) 202105 >http://dx.doi.org/10.1063/1.4830273]]
+Woo Sik Yoo, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima and Masahiro Yoshimoto, "Formation and Characterization of Nickel Germanosilicide on Si1-xGex/Si/SiO2/Si", [[ECS Trans. 50 (2013) 1073-1080 >http://dx.doi.org/10.1149/05009.1073ecst]].
+Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Gota Murai, Shuji Tagawa, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, and Woo Sik Yoo, "Photoluminescence Characterization of Defects in Rapidly Annealed Ultra Shallow Junctions" [[ECS J. Solid State Sci. Technol. 2 (2013) 195-204 >http://dx.doi.org/10.1149/2.005305jss]].
+ Masahiro Yoshimoto, Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, and Kunishige Oe, "Quantitative estimation of density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy", [[J. Cryst. Growth, 378 (2013) 73-76 >http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.12.157]].
+Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy", [[MRS Proceedings 1432 (2012）27-32 >http://dx.doi.org/10.1557/opl.2012.904]].
+ Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo, "Defect Detection in Recrystallized Ultra-Shallow Implanted Silicon by Multiwavelength-Excited Photoluminescence", AIP Conf. Proc. 1496 (2012) 160-163.
+ Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Interface State in p-Type GaAs/GaAs1-xBix Heterostructure", Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 11PC02.
+ Masahiro Yoshimoto, Ryosuke Araki, Takamasa Kurumi, and Hiroyuki Kinoshita, "Structure of Directly Bonded Interfaces between Si and SiC", ECS Transactions: Semiconductor wafer Bonding 12, 50 (7) (2012) 61-70.
+ Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy", MRS Proceedings 1432 (2012）27-32.
+ K. Kado, T. Fuyuki, K. Yamada, K. Oe, M. Yoshimoto, “High hole mobility in GaAs1-xBix alloys” Jpn. J. Appl. Phys. 51 (2012) 040204 (3pages)
+ Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto, “Photo-pumped GaAs1-xBix lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength” Proceedings of the SPIE, 8277 (2012) 827702 (6 pages).(invited paper)
+ O. Ueda, Y. Tominaga, M. Yoshimoto, N. Ikenaga, K. Oe “Structural evaluation of GaAs1-xBix mixed crystals by TEM” Proc. Compound Semiconductor Week (CSW/IPRM), 2011 and 23rd International Conf. Indium Phosphide and Related Materials, pp.1-4. INSPEC Accession Number: 12172587
+Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, and Masahiro Yoshimoto: "Deep-Hole Traps in p-Type GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x}; Grown by Molecular Beam Epitaxy",  Jpn J. Appl. Phys., 50, (2011) 080203 (3pages)
+Yoriko Tominaga, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Temperature-insensitive photoluminescence emission wavelength in GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs multiquantum wells", phys. stat. sol. (c) 8, No.2, 260-262 (2011)
+M. Okutani, H. Saikusa, S. Takashima,, Masahiro Yoshimoto, W. S. Yoo: "Study of Multi-wavelength-excited photoluminescence on recrystallization of ultra-shallow implanted silicon",  Ext. Abs. 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011), Kyoto,2011, IEEE Cat No. CFP11796-PRT (ISBN: 978-1-61284-132-8) pp.114-115  
+Woo Sik Yoo, Takeshi Ueda, Toshikazu Ishigaki, Kitaek Kang, Masashi Fukumoto, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, and Masahiro Yoshimoto: "Non-Contact and Non-Destructive Characterization Alternatives of Ultra-Shallow Implanted Silicon p-n Junctions by Multi-Wavelength Raman and Photoluminescence Spectroscopy" J. Electrochem. Soc., 158 (2011) H80-H84.
+Masashi Okutani, Syuhei Takashima, Masahiro Yoshimoto and Woo Sik Yoo: "A Deep Level Transient Spectroscopy Study on Recrystallization of Ultra-Shallow Implanted Silicon", Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology 2010　（IIT 2010), Kyoto, AIP Conf. Proc. 1321, 2010, pp.200-203.
+M. Fukumoto, H. Hasuike, H. harima, M. Yoshimoto, W.S. Yoo: "Non-contact and non-destructive characterization of shallow implanted silicon pn junctions using ultra-violet Raman spectroscopy", Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology 2010　（IIT 2010), Kyoto, AIP Conf. Proc. 1321, 2010, pp.208-211.
+Takuma Fuyuki, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Growth of GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/Al&size(9){y};Ga&size(9){1-y};As Multi-Quantum-Well structures", Jpn J. Appl. Phys., 49, (2010) 070211 (3pages)
+Yoriko Tominaga, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Low Temperature Dependence of Oscillation Wavelength in GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x}; Laser by Photo-Pumping", Appl. Phys. Express 3, (2010) 062201
+Mitsutaka Nakamura and Masahiro Yoshimoto: "Effects of Excitation Power and Temperature on Photoluminescence from Stacking Faults in 4H-SiC Epilayers", Jpn J. Appl. Phys. 49 (2010) 010202 (3pages).
+Mitsutaka Nakamura, Yoshikazu Hashino, Tomoaki Furusho, Hiroyuki Kinoshita, Hiromu Shiomi and Masahiro Yoshimoto: "Characterization of Schottky diodes on 4H-SiC with various off-axis angles grown by sublimation epitaxy", Mater. Sci. Forum, 600-603 (2009) pp 967-970
+Masahiko Aoki, Megumi Miyazaki, Taro Nishiguchi, Hiroyuki Kinoshita and Masahiro Yoshimoto: "TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot", Mater. Sci. Forum, 600-603 (2009) pp55-58
+Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Structural investigation of GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs multiquantum wells", Appl. Phys. Lett. 93 (13) 131915 (2008)
+Hiroshi Shinohara, Hiroyuki Kinoshita and Masahiro Yoshimoto: "Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistor on Si-on-SiC directly bonded wafers with high thermal conductance", Appl. Phys. Lett. 93 (12) 122110 (2008)
+Yoriko Tominaga, Yusuke Kinoshita, Gan Feng, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Growth of GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs multi-quantum wells by molecular beam epitaxy", phys. stat. sol. (c) 5 (9) 2719-2721 (2008)
+T.Sasaki, H.Minami, H.Harima, T. Isshiki, M.Yoshimoto and W.S. Yoo: "Mluti-wavelength Raman and HRTEM study of Ni/Si interface after NiSi formation at low temperatures using various heating methods", ECS Transactions, 13 (1) 405-412 (2008)
+Gan Feng, Masahiro Yoshimoto and Kunishige Oe: "Influence of Thermal Annealing Treatment on the Luminescence Properties of Dilute GaNAs Bismide Alloy", Jpn J. Appl. Phys. 46 (2007) L764-L766 
+Masahiro Yoshimoto, Gan Feng and Kunishige Oe: "Annealing effects of diluted GaAs nitride and bismide on photoluminescence", ECS Transaction, 6 (2) 45-51 (2007)
+M. Yoshimoto, W. Huang, G. Feng, Y. Tanaka and K. Oe: "Molecular Beam Epitaxy of GaNAsBi Layer for Temperature-Insentive Wavelength", J. Crystal Growth, 301-302 (2007) 975-978
+Gan Feng, Kunishige Oe and Masahiro Yoshimoto: "Temperature dependence of Bi behaviors in MBE growth of InGaAs", J. Crystal Growth, 301-302 (2007) 121-124


**''学会発表等'' [#sc21dfa0]

***国際会議 [#z04a482d]

　　''2007年〜2016年一覧'' (2000年〜2006年は[[こちら>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B9%F1%BA%DD%B2%F1%B5%C4%A1%CA2000%C7%AF%B0%CA%B9%DF%A1%CB]])
+M. Yoshimoto, R. Yoshioka, H. Kuruma, H. Nishinaka, "Fabrication of GaAsBi laser diodes with 1.1-um emission wavelength"(''Invited''), 7th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 24-27, 2016, Shanghai, China, Invited talk 8. 
+ H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, "Metastable rh-ITO epitaxial films on various sapphire substrates with alpha-Ga2O3 buffer layers", International Workshop on Gallium Oxide and Related Materials 2015, Kyoto, Japan.
+ D. Sodeoka, Y. Sasada, H.  Kinoshita, H. Ishida,  M.  Yoshimoto, "Leakage current mechanism at directly bonded Si/SiC interface", 16th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials, Giardini Naxos, Italy, October 4 - 9, 2015
+ M. Yoshimoto, "GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength (''Invited'')" 6th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, July 19-22, 2015, Madison, Wisconsin, USA, M1-1
+ H.  Kinoshita, M. Yoshimoto,  "Behavior of Macroscopic Defects during the High-Speed Growth of Single Crystalline 6H-SiC (''Invited'')", 2015 MRS Spring Meeting & Exhibit, April 2015, San Francisco, CC10.01
+ M. Yoshimoto, "Molecular beam epitaxy of GaAsBi and its application to laser diodes with low-temperature dependence of oscillation wavelength (''Invited'')",  18th European Molecular Beam Epitaxy workshop, Canazei, Italy, March 2015.
+  R. Yoshioka, T. Fuyuki, K. Yoshida, M. Yoshimoto, "Molecular Beam Epitaxy of Laser-quality GaAsBi (''Invited'')", 18th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2014), September 2014, Flagstaff, Arizona, USA.
+ M. Yoshimoto, "Molecular beam epitaxy of GaAsBi and its lasing chracteristics"(''Invited''), 6th International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials and Applications (ICOOPMA), Leeds, UK, July 2014. 
+ M. Yoshimoto, R. Yoshioka, K. Yoshida, and T. Fuyuki, "GaAsBi laser diodes fabricated by molecular beam epitaxy", 5th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors, Cork, Ireland, July 2014.
+ T. Fuyuki, R. Yoshioka, K. Yoshida, M. Yoshimoto,"GaAsBi Laser Diodes with Low Temperature Dependence of Lasing Wavelength", CLEO 2014, San Jose, June 2014.
+Sasada, T. Kurumi, H. Shimizu, H. Kinoshita, Masahiro Yoshimoto, "Junction formation via direct bonding of Si and 6H-SiC", International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2013 (ICSCRM2013), Miyazaki Japan, October 2013.
+Takuma Fuyuki, Masahiro Yoshimoto, "Wavelength Extension of GaAs1-xBix Laser with Low Temperature Coefficient of Lasing Wavelength", 4th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices, Arkansas, USA, July 2013.
+Masahiro Yoshimoto, Takuma Fuyuki "Localized states in GaAsBi and GaAs/GaAsBi heterostructures (''Invited'')", 4th International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices, Arkansas, USA, July 2013.
+Takuma Fuyuki, Masahiro Yoshimoto, "Long wavelength emission of GaAs1-xBix laser with low-temperature coefficient of lasing wavelength", 40th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2013), Kobe, May 2013.
+ Masahiro Yoshimoto, Ryosuke Araki, Takamasa Kurumi, and Hiroyuki Kinoshita, "Structure of Directly Bonded Interfaces between Si and SiC", 222nd Meeting of The Electrochemical Society/PRiME 2012.
+ Woo Sik Yoo, Noriyuki Hasuike, Hiroshi Harima, Masahiro Yoshimoto, "Formation and Characterization of Nickel Germanosilicide on Si1-x Gex/Si/SiO2/Si", 222nd Meeting of The Electrochemical Society/PRiME 2012.
+ Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Quantitative estimation of the density of Bi-induced localized states in GaAs1-xBix grown by molecular beam epitaxy", 17th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE2012).
+ Kosuke Kado, Mizuki Itoh, Yoriko Tominaga, Takuma Fuyuki, Kazuya Yamada, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "High Hole Mobility in GaAs1-xBix Alloys", 3rd International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
+ Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Interface States in GaAs/p-GaAsBi Heterointerface Using Admittance Spectroscopy", 3rd International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors: Growth, Properties and Devices
+ Masahiro Yoshimoto, Masashi Okutani, Hiroki Saikusa, Shuhei Takashima, Woo Sik Yoo, "Defect Detection in Recrystallized Ultra-Shallow Implanted Silicon by Multiwavelength-Excited Photoluminescence", 19th Int. Conf. Ion Implantation Technology (IIT2012)
+ Gota Murai, Masashi Okutani, Masahiro Yoshimoto, Woo Sik Yoo, "Photoluminescence study on recrystallization of ultra-shallow junction towards in-line measurements", 2012 International Meeting for Future of Electron Devices
+ Takamasa Kurumi, Ryosuke Araki, Hiroyuki Kinoshita, Masahiro Yoshimoto, "TEM observation of directly bonded interface between Si and SiC", 2012 International Meeting for Future of Electron Devices
+ Takuma Fuyuki, Shota Kashiyama, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Study of the Deep Levels of a GaAs/p-GaAs1-xBix Heterostructure Grown by Molecular Beam Epitaxy", 2012 Materials Reserch Society (MRS)  Spring Meeting.
+Yoriko Tominaga, Kunishige Oe, Masahiro Yoshimoto, "Photo-pumped GaAs1-xBix lasing operation with low-temperature-dependent oscillation wavelength (''Invited'')", SPIE Photonic West, San Francisco, January 2012
+Y. Tominaga, K. Yamada, K. Oe and M. Yoshimoto: "Molecular beam epitaxial growth of In&size(9){1-y};Ga&size(9){y};As&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs multiquantum wells", International Workshop on Quantum Nanostructures and Nanoelectronics (QNN2011), Tokyo, Japan, October 2011 
+M. Yoshimoto, Y. Tominaga, and K. Oe: "Lasing in GaAsBi with low temperature dependence of oscillation wavelength", 2nd International workshop on Bismuth-Containing Semiconductors:Theory, Simulation, and Experiment, Guildford, Surrey, UK, July 2011 
+M. Okutani, H. Saikusa, S. Takashima, M. Yoshimoto and W. S. Yoo: "Study of Multi-wavelength-excited photoluminescence on recrystallization of ultra-shallow implanted silicon", The 11th International Workshop on Junction Technology (IWJT2011), Kyoto, Japan, June 2011 
+Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto: "Variations in the abruptness at GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs heterointerfaces caused by thermal annealing", 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011), Berlin, Germany, May 2011 
+T. Fuyuki, S. Kashiyama, Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto: "Deep level transient spectroscopy study of p-type GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x}; mixed crystals", 38th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2011), Berlin, Germany, May 2011 
+O. Ueda, Y. Tominaga, N. Ikenaga, M. Yoshimoto and K. Oe: "Stractural evaluation of GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x}; mixed crystals by TEM", 23rd International Conference on Indium Phosphide and Related Materials (IPRM2011), Berlin, Germany, May 2011 
+R. Araki, H. Shimizu, T. Kurumi, H. Kinoshita, M. Yoshimoto: "Drain current - gate voltage characteristics of si MOSFETs fabricated on Si-onSiC wafers" 2011 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Suita City, May 2011
+Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto: "Lasing in GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs Thin Film Cavity with Low-Temperature-Dependent Oscillation Wavelength", 22nd IEEE International Semiconductor Laser conference (ISLC2010), Kyoto, Japan, October 2010 
+M. Yoshimoto and K. Oe: "Present status and future prospect of Bi-containing semiconductors (''Invited'')", 1st International Workshop on Bismuth-Containing Semiconductors:Theory, Simulation, and Experiment, the University of Michigan, MI, USA, July 2010 
+T. Fuyuki, Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto: "Growth of GaAs1-xBix/AlyGa1-yAs Multi-Quantum Well Structures on　GaAｓ" Electronic Materialas Conference 2010, Notre Dame, USA June 2010 
+M. Okutani, S. Takashima,W. Yoo, M. Yoshimoto:"A Deep Level Transient Spectroscopy Study on Recrystallization of Ultra-Shallow Implanted Silicon", Proc. Int. Conf. Ion Implantation Technology 2010 (IIT 2010), Kyoto, June 2010 
+Y. Tominaga, K. Oe and M. Yoshimoto: "Temperature-insensitive Photoluminescence Emission Wavelength in GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs Multiquantum Wells", 37th International Symposium on Compound Semiconductors (ISCS2010), Kagawa, Japan, June 2010 
+M. Yoshimoto, H. Shinohara, H. Kinoshita: "Reduction of self-heating effect in silicon MOSFETs on directly bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance", Device Research Conference 2009 (DRC2009), University Park PA, USA, June 2009 
+M. Yoshimoto, M. Fukumoto, H. Minami, N. Hasuike, H. Harima, W. Yoo: "Raman Scattering Characterization of Annealing Effects in Ultra-Shallow Boron-Implanted Si Wafers", 215th Electrochemical Society Meeting,San Francisco, CA, USA, May 2009 
+S. Takashima, M. Yoshimoto, W. Yoo:"Photoluminescence Study on Ion Implanted Silicon after Rapid Thermal Annealing",215th Elecrochemical Society Meeting,San Francisco, CA, USA, May 2009 
+K. Yamada, Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto:"Growth of InGaAsBi/GaAs Multi-Quantum Wells on (100)GaAs",2009 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai, Suita City, May 2009 
+Y. Tominaga, K. Oe, M. Yoshimoto:"GaAsBi/GaAs multi-quantum wells with well-defined multi-layered structures",IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008, Kyoto City, October 2008 
+H. Shinohara, H. Kinoshita, M. Yoshimoto:"Silicon MOSFET on directly bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance",IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference 2008, Kyoto City, October 2008 
+Y. Tominaga, Y. Kinoshita, K. Oe, M. Yoshimoto:"Growth of GaAs1-xBix/GaAs multi-quanum wells with 1.3 μm photoluminescence emission",50th Electronic Materials Conference,Santa Barbara, CA, USA, June 2008 
+H. Shinohara, H. Kinoshita, M. Yoshimoto:"Si MOSFET on direct bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance",50th Electronic Materials Conference,Santa Barbara, CA, USA, June 2008 
+M. Aoki, M. Miyazaki, T. Nishiguchi, H. Kinoshita, M. Yoshimoto:"TEM Observation of the Polytype Transformation of Bulk SiC Ingot",Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu City, October 2007
+M. Yoshimoto, Y. Hashino, M. Nakamura, T. Furusho, H. Kinoshita, H. Shiomi:"Characterization of Schottky Diode on 4H-SiC with Various Off-Axis Angles Grown by Sublimation Epitaxy",Int. Conf. Silicon Carbide and Related Materials 2007, Otsu City, October 2007
+Y. Tominaga, Y.Kinoshita, G Feng, K. Oe, M. Yoshimoto:"Growth of GaAsBi/GaAs Multi-QuantumWells by Molecular Beam Epitaxy",34th Int. Sympo. Compound Semiconductors (ISCS 2007), Kyoto City, September 2007 
+T. Sasaki, H. Minami, K. Kisoda, W. S. Yoo, M. Yoshimoto, H. Harima:"UV-VIS Raman Characterization of High Dose Ultra Shallow Implanted Silicon before and after Excessive Annealing",2007 International Conference on Solid State Devices and Materials (SSDM 2007), Tsukuba City, September 2007
+M. Yoshimoto, G. Feng, K. Oe:"Annealing Effects of Diluted GaAs Nitride and Bismide on Photoluminescence",211th Electrochemical Society Meeting,Chicago, May 2007
+K. Oe, G. Feng, Y. Kinoshita, M. Yoshimoto:"GaNyAs1-x-yBix Alloy for Temperature-insensitive Wavelength Semiconductor Lasers",European Materials Reserch Society Spring Meeting,Strasbourg, France, May 2007
+Y. Kinoshita, Y. Tominaga, G. Feng, M. Yoshimoto, K. Oe:"GaAsBi/GaAs Multiple Quantum Well Structures Grown by Molecular Beam Epitaxy",2007 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (IMFEDK), Osaka City, April 2007
+S. Momii, D. Koba, N. Kuwano, S. Hata, M. Yoshimoto:"Location of impurity oxygen atoms in InN grown by MBE",3rd Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors(APWS-2007),Jeonju, Korea, March 2007




***国内学会 [#n7810f03]

　　''2007年〜2016年一覧'' (2000年〜2006年は[[こちら>http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/?%B9%F1%C6%E2%B3%D8%B2%F1%282000%C7%AF%B0%CA%B9%DF%29]])
+ 西中浩之, 吉本昌広、「ミストCVD法によるε-Ga2O3エピタキシャル成長」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟 2016/9
+ 芝田悠将, 来馬英樹, 吉岡諒, 西中浩之, 吉本昌広、「高含有率GaAs1-xBixの特異なPL特性」 第77回応用物理学会秋季学術講演会, 応用物理学会, 新潟, 2016/9.
+ H. Nishinaka, and M. Yoshimoto, "Solution based mist-CVD technique for hybrid organic-inorganic perovskite" 第35回電子材料シンポジウム、滋賀　2016/6
+ 西中浩之, 吉本昌広,「ミストCVD法による菱面体晶ITOのヘテロエピタキシャル成長」, 第63回応用物理学会春季学術講演会, 応用物理学会, 東京, 2016/3.
+ 来馬英樹, 冬木琢真, 吉岡諒, 芝田悠将, 西中浩之, 吉本昌広、「レーザー発振を示す半金属半導体混晶GaAs1-xBixの発光特性」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門平成27年度第1回講演会・見学会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 福井,　2016/1
+ 西中浩之, 吉本昌広、「ミストを用いた有機無機ペロブスカイト材料の形成技術」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門平成27年度第1回講演会・見学会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 福井, , 2016/1.
+  西中浩之, 吉本昌広、「古くて新しい準安定相rh-ITOエピタキシャル成長」, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成27年度第2回研究会, 日本材料学会半導体エレクトロニクス部門, 京都, 2015/11
+木下 博之、七種 宏樹、池田 潤也、都筑 一夫、吉本 昌広、「SiCの洗浄技術について（''招待講演''）」第７６回応用物理学会秋季学術講演会　13p-1B-4
+吉本昌広、「ビスマス系III-V族半導体の創成とレーザダイオードへの応用」(''招待講演'')、平成26年度第1回講演会見学会、東広島市、2015年1月
+川上雄平、吉本昌広、實野孝久、「Si微粒子の塗布とレーザー焼結による太陽電池の試作」第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014.9
+冬木琢真、吉田憲司、吉岡諒、，吉本昌広、「発振波長の低い温度依存性を有するGaAs1-xBixレーザダイオードの実現」 （''招待講演''：講演奨励賞受賞記念講演）第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014.9
+袖岡大輝、来馬英樹、吉本昌広、Pablo Vaccaro、Isabel Alonso、Miquel Garriga、Alejandro Goni、「引っ張り歪付与のためのGeブリッジ構造の製作と評価」第７５回応用物理学会秋季学術講演会　2014.9
+冬木琢真、吉田憲司、吉岡　諒、吉本昌広、「発振波長の低い温度依存性を有するGaAsBiレーザダイオードの実現」電子情報通信学会 信頼性/機構デバイス/電子部品・材料/光エレクトロニクス/レーザ・量子エレクトロニクス合同研究会、2014.8
+吉岡諒，冬木琢真，吉本昌広，「レーザ発振を示すGaAs1-xBixのMBE成長と特性」2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，相模原市，2014.03
+冬木琢真，吉田憲司，吉岡諒，吉本昌広，「MBE成長GaAs1-xBixレーザダイオードの室温発振」2014年 第61回応用物理学会春季学術講演会，相模原市，2014.03
+田川修治，山田章一郎，村井剛太, 吉本昌広，「極浅As注入層の再結晶化過程のホトルミネセンスによる分析」2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会，京田辺市，2013.09
+笹田幸弘，来見貴誠，荒木亮祐，清水秀雄，木下博之, 吉本昌広，「Si-on-SiC基板貼り合わせ界面の電気的特性」2013年 第74回応用物理学会秋季学術講演会，京田辺市，2013.09
+冬木琢真, 吉本昌広，「発振波長の低温度依存性を有する光励起GaAsBiレーザの長波長化」第32回電子材料シンポジウム，守山市，2013.07
+冬木琢真, 吉本昌広，「発振波長の低温度依存性を有する光励起GaAs1-xBixレーザの長波長化」第60回応用物理学会春季学術講演会，厚木市，2013.03
+ 田川修治、村井剛太、奥谷真士, 吉本昌広, Woo Sik Yoo, 「ホトルミネセンス法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の分析」、応用物理学会　ゲートスタック研究会　―材料・プロセス・評価の物理―（第18回）	熱海、2013年1月
+ 村井剛太、奥谷真士、田川修治, 吉本昌広, Woo Sik Yoo, 「ナノスケールウエットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析」、電子情報通信学会シリコン材料・デバイス(SDM)研究会、京都、2012年12月
+ 村井剛太，田川修治，奥谷真士, 吉本昌広, Yoo Woo Sik、「ナノスケールウェットエッチング法を用いたSi極浅接合の深さ方向ホトルミネセンス分析」2012年秋季 第73回応用物理学会学術講演会、松山、2012年9月
+ 冬木琢真、柏山祥太, 尾江邦重, 吉本昌広、「アドミタンス法によるGaAs/pGaAsBiヘテロ界面評価」第31回電子材料シンポジウム、滋賀県守山市、2012年6月
+ 冬木琢真、 柏山祥太, 尾江邦重, 吉本昌広、「GaAs/p-GaAs1-xBixヘテロ界面の電気的特性」日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会平成23年度第2回研究会	京都、2012年3月
+ 冬木琢真，柏山祥太, 尾江邦重, 吉本昌広、「アドミタンス法によるGaAs/p-GaAs1-xBix界面評価」、2012年春季 第59回応用物理学関係連合講演会、東京、2012年3月
+富永依里子、尾江邦重、吉本昌広：「[奨励講演] 光励起によるGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs 薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 -その発振波長の低温度依存性-」, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 東京都, 2011年12月
+来見貴誠, 荒木亮祐, 木下博之, 吉本昌広：「Si-on-SiC基板の貼り合わせ界面の電子顕微鏡観察」, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形県山形市, 2011年9月
+奥谷真士, 七種宏樹, 高島周平, 吉本昌広, Woo Sik Yoo：「低温ホトルミネセンス測定によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価」, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形県山形市, 2011年9月
+富永依里子, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広：「(100)GaAs基板上In&size(9){1-y};Ga&size(9){y};As&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs 多重量子井戸構造の製作(II)」, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形県山形市, 2011年8月 
+冬木琢真, 柏山祥太, 富永依里子, 尾江邦重, 吉本昌広：「DLTS法によるGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};結晶中の点欠陥評価(II)」, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形県山形市, 2011年8月
+角浩輔, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広：「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};のp形ドーピング特性」, 第72回応用物理学会学術講演会, 山形県山形市, 2011年8月
+上田修, 富永依里子, 池永訓昭, 吉本昌広, 尾江邦重：「MBE 成長GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};結晶のTEM 評価」、第30回電子材料シンポジウム, 滋賀県守山市, 2011年6月
+角浩輔, 山田和弥, 尾江邦重, 吉本昌広：「p形GaAsBiの電気的特性」、第30回電子材料シンポジウム, 滋賀県守山市, 2011年6月
+冬木琢真, 柏山祥太, 富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「DLTS法によるp型GaAsBi結晶中の点欠陥評価」、第30回電子材料シンポジウム, 滋賀県守山市, 2011年6月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAsヘテロ接合界面の急峻性の熱処理による変化」、第30回電子材料シンポジウム, 滋賀県守山市, 2011年6月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAsヘテロ接合界面の急峻性の熱処理による変化」、第58回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県厚木市，2011年3月
+冬木琢真、柏山祥太、山田和弥、尾江邦重、吉本昌広:「DLTS法によるGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};結晶中の点欠陥評価」、第58回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県厚木市，2011年3月
+荒木亮祐、清水秀雄、来見貴誠、木下博之、吉本昌広：「Si-on-SiC基板上シリコンMOSFETの熱的および電気的特性」、第58回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県厚木市，2011年3月
+七種宏樹、奥谷真士、高島周平、吉本昌広、Woo Sik Yoo：「ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価」、第58回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県厚木市，2011年3月
+奥谷真士、高島周平、吉本昌広、Woo Sik Yoo：「ホトルミネセンス法およびDLTS法によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価」、電子情報通信学会　シリコン材料デバイス研究会、京都、2010年12月　
+富永依里子、尾江邦重、吉本昌広：「光励起によるGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs 薄膜のファブリ・ペローレーザ発振 -その発振波長の低温度依存性-」, 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会, 東京都, 2010年12月
+上田修、富永依里子、池永訓昭、吉本昌広、尾江邦重：「TEMによるMBE成長GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};混晶の構造評価」，第71回春季応用物理学関係連合講演会，長崎県長崎市，2010年9月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};ファブリペローレーザの発振波長の低温度依存性」(講演奨励賞受賞記念講演)，第71回春季応用物理学関係連合講演会，長崎県長崎市，2010年9月
+冬木琢真，富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「GaAs 基板上 GaAs1-xBix/AlyGa1-yAs 多重量子井戸構造の製作」，第29 回電子材料シンポジウム，静岡県伊豆市，2010年7月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};レーザの発振波長の低温度依存性」，第29 回電子材料シンポジウム，静岡県伊豆市， 2010年7月
+木下博之，清水秀雄，篠原広，吉本昌広：「Siデバイスの熱特性を向上させるSi-on-SiC基板の検討」，日本材料学会半導体エレクトロニクス部門委員会 平成22年度第1回研究会，大阪府吹田市，2010年5月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};ファブリペローレーザの発振波長の低温度依存性」，第57回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2010年3月
+冬木琢真，富永依里子，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広：「(100)GaAs 基板上 GaAs1-xBix/AlyGa1-yAs 多重量子井戸構造の製作」，第57回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2010年3月
+奥谷真士，高島周平，Woo Sik Yoo，吉本昌広：「DLTS測定によるシリコン極浅接合の再結晶化過程の評価」，第57回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2010年3月
+野村史人，清水秀雄，吉本昌広：「Si/SiCヘテロ接合の製作とその電気的特性」，第57回春季応用物理学関係連合講演会，神奈川県平塚市，2010年3月
+中村光祟，吉本昌広：「4H-SiCエピタキシャル層中の積層欠陥のホトルミネセンス」，応用物理学会　SiC及び関連ワイドギャップ半導体研究会，神戸市，2009年12月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「分子線エピタキシー法を用いて成長したGaAs1-xBix/GaAs 多重量子井戸の構造評価」，応用物理学会結晶工学分科会2009年年末講演会，東京，2009年12月
+吉本昌広，篠原広，清水秀雄，木下博之：「シリコンカーバイド基板上シリコンMOSFETの製作と放熱効果の実証」，電気学会　電子材料・電子デバイス・半導体電力変換合同研究会，東京，2009年10月
+清水秀雄，木下博之，吉本昌広:「p形Si/n形SiC直接接合の製作とその電気的特性」，応用物理学会　第７０回学術講演会，富山市，2009年9月
+富永依里子，山田和弥，尾江邦重，吉本昌広:「X線回折を用いたGaAs1-xBix/GaAs 多重量子井戸構造の評価」，応用物理学会　第７０回学術講演会，富山市，2009年9月
+七種宏樹，木下博之，吉本昌広:「6H-SiC基板のウェット洗浄による表面状態の変化」，応用物理学会　第７０回学術講演会，富山市，2009年9月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「Structural investigation of GaAs1-xBix/GaAs multiquantum well structures fabricated by molecular beam epitaxy」，第28 回電子材料シンポジウム，守山市，2009年7月
+清水秀雄，篠原広，木下博之，吉本昌広:「Reduction of self-heating effect in silicon MOSFETs on directly bonded Si-on-SiC wafer with high heat conductance」，第28 回電子材料シンポジウム，守山市，2009年7月
+山田和弥，富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「(100)GaAs基板上In1-yGayAs1-xBix/GaAs多重量子井戸構造の製作」，第56回応用物理関係連合講演会，つくば市，2009年3月
+篠原広，野村史人，木下博之，吉本昌広:「Si-on-SiC基板上MOSFETの放熱効果の実証」，第56回応用物理関係連合講演会，つくば市，2009年3月
+高島周平，吉本昌広，Woo Sik Yoo:「ホトルミネセンス測定によるシリコン極浅接合の非破壊非接触評価(2)」，第56回応用物理関係連合講演会，つくば市，2009年3月
+福本真志，三並宏彰，蓮池紀幸，播磨弘，吉本昌広，Woo Sik Yoo:「ラマン散乱分光法による極浅B注入Si基板の熱処理効果の評価」，第56回応用物理関係連合講演会，つくば市，2009年3月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広:「GaAs1-xBix/GaAs 多重量子井戸の構造評価」，第56回応用物理関係連合講演会，つくば市，2009年3月
+高島周平，嘉本宏司，播磨弘，吉本昌広，Woo Sik Yoo:「シリコン極浅接合の再結晶化過程の光学的および電気的特性評価」，平成20年電気関係学会関西支部連合大会，京都市，2008年11月
+富永依里子，木下雄介，尾江邦重，吉本昌広：「1.3μmでのホトルミネセンス発光を有するGaAs1-xBix/GaAs多重量子井戸構造の製作」，第33回結晶成長討論会，仙台市，2008年9月
+高島周平，嘉本宏司，播磨弘，吉本昌広，Woo Sik Yoo：「シリコン極浅接合の再結晶化過程の光学的および電気的特性評価」，第69回応用物理学会学術講演会，愛知県春日井市，2008年9月
+富永依里子，木下雄介，尾江邦重，吉本昌広：「Fabrication of GaAsBi/GaAs multi-Quantum well structures with 1.3μm」，第27回電子材料シンポジウム，伊豆市，2008年7月
+青木正彦，西田幸子，川野輪 仁，篠原広，吉本昌広：「SiCによるSOI基板の界面構造評価」，第55回応用物理学関係連合講演会，千葉県船橋市，2008年3月
+篠原広，木下博之，吉本昌広：「シリコンカーバイド基板上のシリコンMOSFETの放熱特性」，第55回学術講演会，千葉県船橋市，2008年3月
+富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「1.3μmでのホトルミネセンス発光を有するGaAsBi/GaAs多重量子井戸構造の製作」，第55回学術講演会，千葉県船橋市，2008年3月
+木下雄介，富永依里子，尾江邦重，吉本昌広：「分子線エピタキシー法によるGaAsBi/GaAs 多重量子井戸構造の製作」，電子情報通信学会レーザ量子エレクトロニクス研究会，寝屋川市，2008年1月
+篠原広，吉本昌広：「シリコンカーバイドを用いたSOI基板上へのシリコンMOSFETの製作」，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月
+富永依里子，木下雄介，馮 淦，尾江邦重，吉本昌広：「GaAsBi/GaAs 多重量子井戸構造の製作(II)」，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月
+佐々木隆，三並宏彰，蓮池紀幸，播磨弘，木曽田賢治，一色俊之，吉本昌広，Yoo Woo Sik：「深紫外ラマン散乱による異なるアニール条件下での極浅イオン注入シリコン再結晶化の観察」，第68回応用物学会学術講演会，札幌市，2007年9月
+三並宏彰，佐々木隆，蓮池紀幸，播磨弘，木曽田賢治，吉本昌広，Yoo Woo Sik：「紫外-可視ラマン散乱による過度熱処理した極浅イオン注入シリコンの結晶性評価」，第68回応用物理学会学術講演会，札幌市，2007年9月
+青木正彦，宮崎恵，吉本昌広：「バルクSiC単結晶のTEMによるポリタイプ変形構造評価」，第68回応用物学会学術講演会，札幌市，2007年9月
+Y. Tominaga，Y.Kinoshita，G Feng，K. Oe，M. Yoshimoto：「Fabrication of GaAsBi/GaAs multi-quantum-well structures and their thermal stability」，第26回電子材料シンポジウム，守山市，2007年7月
+一色俊之，西尾弘司，中村勇，溝部誠，深田卓史，吉本昌広，播磨弘：「Ｎiシリサイド電極形成にともなう欠陥導入過程の考察」，日本顕微鏡学会第63回学術講演会，新潟市，2007年5月
+一色俊之，西尾弘司，中村勇，深田卓史，Woo Sik Yoo，吉本昌広，播磨弘：「Ｎiシリサイド電極形成過程の高分解能断面観察による評価」，日本顕微鏡学会第63回学術講演会，新潟市，2007年5月
+青木正彦，宮��恵，木下博之，西口太郎，吉本昌広：「バルクSiC 単結晶のTEM によるポリタイプ変形観察」，第54回応用物理学関係連合講演会，相模原市，2007年3月
+籾井真介，桑野範之，波多聰，吉本昌広：「MBE 法で作製したInN 薄膜における不純物酸素の占有位置のTEM による解析」，第54回応用物理学関係連合講演会，相模原市，2007年3月
+馮淦，尾江邦重，吉本昌広：「GaNAsBi ホトルミネセンスのアニ-ル効果 − Bi およびN の影響」，第54回応用物理学関係連合講演会，相模原市，2007年3月
+木下雄介，富永依里子，Gan Feng，尾江邦重，吉本昌広：「GaAsBi/GaAs 多重量子井戸構造の製作」，第54回応用物理学関係連合講演会，相模原市，2007年3月
+吉本昌広，西垣宏，播磨弘，一色俊之，Kitaek Kang，Woo Sik Yoo：「急速熱処理した極浅イオン注入シリコンウエハの紫外ラマン分光による非破壊結晶性評価」，第54回応用物理学関係連合講演会，相模原市，2007年3月

**''解説'' [#y1e754ed]

　　『''ビスマス系化合物半導体によるレーザーダイオード''』吉本昌広 、[[応用物理　第85巻 第2号（2016）113-117 ページ>https://www.jsap.or.jp/ap/2016/02/ob850113.xml]]


**''著書'' [#abba749b]

　　''"Localized States in GaAsBi and GaAs/GaAsBi Heterostructures"''
　　Chapter 9 in ''"Bismuth-Containing Compounds"''　(H Li, Z. M. Wang, editor)~
　　　　分担執筆 (Masahiro Yoshimoto, Takuma Fuyuki), Springer. ISBN: 9781461481201，2013年

　　''"Molecular beam epitaxy of GaAsBi and related quaternary alloys"''
　　Chapter 8 in ''"Molecular Beam Epitaxy: From research to mass production"''　(M. Henini, editor)~
　　　　分担執筆（Masahiro Yoshimoto, Kunishige Oe）, Elsevier Inc.　ISBN: 9780123878397,　2012年　　


　　『''半導体デバイス''』~
　　　　共著（松波、吉本）　 共立出版　2000年　全212ページ

　　『''光励起プロセスの基礎''』

　　　　編著(高橋、松波、村田、英)　分担執筆　 工業調査会　1994年　７章

**''コラム'' [#jc154b46]

　　『''母なるチャンバー，父なるシリコン''』~
　　　　吉本昌広、[[応用物理　第82巻 第10号 (2013) 882-884 ページ>https://www.jsap.or.jp/ap/2013/10/index.xml]]


　　『''わたしの産学官連携１２年の経験''』~
　　　　吉本昌広、[[産学官連携ジャーナル　第11巻 第10号（2015）27-28 ページ>https://sangakukan.jp/journal/journal_contents/2015/10/articles/1510-05/1510-05_article.html]]
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