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**ビスマス系III-V族半金属半導体の創製とデバイス応用 [#k63...
ビスマス系III-V族半金属半導体は、V族元素としてビスマス(B...
応用物理学会の会誌「応用物理」に本研究の解説が掲載されて...
主な発表論文:[[電流注入レーザ発振>http://dx.doi.org/doi:...
**Si-SiC複合基板(Si-on-SiC)の開発とデバイス応用 [#la276...
シリコンカーバイド(SiC)の熱伝導率はシリコンの約3倍で銅...
例えば、SOI(silicon-on-insulator) 構造やパワートランジス...
本研究室では、単結晶SiCウェハにSiウェハを直接、貼り合わせ...
主な発表論文:[[Si-on-SiC基板の製作とSiデバイス応用(高温...
**インライン検査装置の開発に向けたシリコン極微構造の物性...
シリコンデバイスは、集積回路(CPUやメモリなど)を中心として...
本テーマでは、製造ラインや研究開発拠点で製作された試料を...
主な発表論文:極浅接合の評価 [[ラマン分光>http://dx.doi....
**顕微ホトルミネセンス法による結晶欠陥評価 [#yc4b5888]
通常の光学レンズを用いた顕微ホトルミネセンス(PL)観測装置...
本研究室では、本研究では、操作性良く、波長の半分程度の解...
主な発表論文:[[装置構成>http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/39...
**GaNパワーデバイスに関する研究 [#g7691b86]
(工事中)
**酸化物半導体に関する研究 [#lb4f0ad3]
(工事中)
終了行:
**ビスマス系III-V族半金属半導体の創製とデバイス応用 [#k63...
ビスマス系III-V族半金属半導体は、V族元素としてビスマス(B...
応用物理学会の会誌「応用物理」に本研究の解説が掲載されて...
主な発表論文:[[電流注入レーザ発振>http://dx.doi.org/doi:...
**Si-SiC複合基板(Si-on-SiC)の開発とデバイス応用 [#la276...
シリコンカーバイド(SiC)の熱伝導率はシリコンの約3倍で銅...
例えば、SOI(silicon-on-insulator) 構造やパワートランジス...
本研究室では、単結晶SiCウェハにSiウェハを直接、貼り合わせ...
主な発表論文:[[Si-on-SiC基板の製作とSiデバイス応用(高温...
**インライン検査装置の開発に向けたシリコン極微構造の物性...
シリコンデバイスは、集積回路(CPUやメモリなど)を中心として...
本テーマでは、製造ラインや研究開発拠点で製作された試料を...
主な発表論文:極浅接合の評価 [[ラマン分光>http://dx.doi....
**顕微ホトルミネセンス法による結晶欠陥評価 [#yc4b5888]
通常の光学レンズを用いた顕微ホトルミネセンス(PL)観測装置...
本研究室では、本研究では、操作性良く、波長の半分程度の解...
主な発表論文:[[装置構成>http://jjap.ipap.jp/link?JJAP/39...
**GaNパワーデバイスに関する研究 [#g7691b86]
(工事中)
**酸化物半導体に関する研究 [#lb4f0ad3]
(工事中)
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