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**Yoriko TOMINAGA, 博士課程3回生 [#o80265b3]

　　日本学術振興会 特別研究員（DC1）

-研究テーマ：Bi系III-V族半導体を用いた発振波長が温度無依存性を有する通信用半導体レーザの開発~
--分子線エピタキシー法を用いたGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};薄膜の成長とGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs 多重量子井戸（MQW）の製作
--X線回折法および透過型電子顕微鏡を用いたGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};薄膜、GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs MQW、In&size(9){1-y};Ga&size(9){y};As&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs MQWの構造評価
--ホトルミネセンス法を用いたGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};薄膜とGaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};/GaAs MQWの光学的特性評価
--GaAs&size(9){1-x};Bi&size(9){x};ファブリ・ペローレーザの製作と光励起法によるその特性評価

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-連絡先~
Email: d9821003[at]edu.kit.ac.jp
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