*&SIZE(19){''京都工芸繊維大学 電子システム工学専攻 吉本・西中・上田研究室へようこそ''}; [#k32bddf0]

　本研究室では、半導体デバイスについて、材料物性から回路素子としての機能までを概観できる人材の育成を目指しています。具体的には原子レベルで制御しながら半導体や関連材料を製作し、デバイスへの応用を目指しています。また、半導体材料やデバイスの計測にも力を注いでいます。

　本研究室では、学内外の研究室や企業、研究機関との連携を推進しています。最近では、企業での研究開発の経験が豊富な方々を、教員（助教、特任教授、特任准教授）や研究員に招き、明快な出口イメージをもった研究開発に注力しています。連携を通じて、より豊かな研究成果を得るだけなく、学生の皆さんに研究開発について実践的に学ぶ場を提供したいと考えています。

　さらに、外国人研究者を特任研究員に招き、また、積極的に学生の皆さんを海外に送り出すことで、国際的に活躍できる人材の育成を目指しています。

　　現在、下に示す[[研究テーマ]]を進めています。
 

//http://www.cis.kit.ac.jp/~yoshimot/image/kit/image01.jpg

**研究テーマ[#j53a07d3]

-Bi系III-V族半導体半金属混晶を用いた通信用新型レーザの開発

-Si-SiC複合基板（Si-on-SiC）の開発とデバイス応用

-GaNパワーデバイスに関する研究

-酸化物半導体に関する研究

//''■窒化物系電子材料の製作とデバイス応用''

//[[''○ビスマス半金属・半導体合金GaNAsBiの創製と光通信用新型レーザの開発''>研究テーマGaNAsBi]]~
//動作温度の変動に対して発振波長が変化しない光通信用レーザの実現に向けて、新材料の開発からレーザの試作までに取り組んでいます。[[(詳細)>研究テーマGaNAsBi]]


//[[''○窒化シリコン保護膜の新しい製造法の開発とデバイスへの応用''>研究テーマ窒化物誘電体]]~
//有機原料を用いて炭素の混入がほとんどない純正な窒化シリコン膜の製造法を開発しました。デバイス保護膜の製造が低コストかつ安全なものになります。[[(詳細)>研究テーマ窒化物誘電体]]


//''○III族窒化物半導体の結晶成長と物性制御''~
//いまだに禁制帯幅も確定していない未開拓の半導体InNの物性制御を目指しています。

//''○超高輝度白色発光ダイオードの開発''~
//企業や他大学と連携して、照明用の超高輝度白色ダイオードの開発を進めています。

//''■電子材料・デバイスの計測''~

//[[''○ サブミクロン解像度極低温顕微分光装置の開発''>研究テーマ顕微ホトルミネセンス]]~
//極低温（10K）において解像度0.3μmで観測可能なホトルミネセンス顕微鏡を開発しました。 [[(詳細)>研究テーマ顕微ホトルミネセンス]]


//''○シリコン極浅pn接合の光学的・電気的評価''~
//超LSIの微細化に不可欠な極浅pn接合について、光学的、電気的な計測を進めています。社会をささえるシリコンテクノロジー対して、研究と教育の両面からの貢献を目指しています。
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